根据韩媒《TheElec》报道，SK海力士已经在新芯片厂M15X中安装首批设备，比原定计划提前了两个月。

报道称，SK海力士原预计于12月开始进场设备，而提前执行可能是为了扩大高带宽内存（HBM）产能扩张的步伐。

SK海力士为兴建M15X投入超过20兆韩元，该厂位于M15附近，并专注于生产1b DRAM，用作HBM3E的核心芯片。

消息人士透露，M15X初期月产能为3.5万片芯片，未来预计可扩展至5.5万至6万片。 SK海力士自去年底开始为该厂下订设备，部分韩国利川厂区的DRAM员工已调往忠州新厂，协助安装设备并进行量产准备。

M15X拥有比现有厂房更大的无尘室，因为HBM制程需要比传统DRAM更高的空间与设备容量。 消息人士表示，除了M15X外，SK海力士也正同步筹备龙仁新厂以及美国印第安纳州的先进封装厂。

SK海力士上个月已宣布完成HBM4的开发，并已准备好量产。

（首图来源：科技新报）