根据外媒报道，荷兰半导体大厂恩智浦半导体 （NXP Semiconductors Inc.） 于上周正式宣布一项重大战略调整，计划停止其射频功率 （radio power） 产品线的生产，并预计在2027年之前关闭其位于亚利桑那州钱德勒 （Chandler） 的射频氮化镓 （RF GaN） 芯片厂。

针对现阶段恩智浦的射频功率产品线，核心业务以服务电信基础设施部门，主要为蜂窝基站供应射频功率组件的内容，根据公司发言人向外媒的说明指出，恩智浦决定退出射频功率市场，并缩减其在亚利桑那州钱德勒ECHO GaN芯片厂的运营规模，主要是由于市场环境的变化。其中，关键因素包括移动运营商在该领域缺乏投资报酬率 （ROI），以及全球5G基站的部署数量低于最初的预期。

报道表示，恩智浦半导体旗下位于钱德勒的ECHO芯片厂，正是制造基于氮化镓芯片的5G设备功率放大器 （power amplifiers） 的重要设施。目前，恩智浦已经同步告知员工，公司计划缩减钱德勒ECHO GaN芯片厂的运营。市场预期，此动作也正代表着恩智浦在电信基础设施射频功率组件市场淡出的决定。

(首图来源:官网)