SanDisk与SK hynix宣布签署合作备忘录（MOU），双方将共同制定“高带宽闪存”（High Bandwidth Flash，HBF）技术规范，并推动其标准化，为内存市场注入新变量。

HBF最大的突破，在于内存堆栈结构并非全由DRAM组成，而是引入NAND闪存作为主要存储层，使容量密度可达传统DRAM型HBM的8至16倍，同时保有高速读取能力。虽然访问延迟略逊于纯DRAM，但在需要长时间维持大型模型数据的AI推论与边缘运算场景中，HBF能有效降低能源消耗与散热压力，展现不同的优势。

（Source：Sandisk）

HBF采用SanDisk专有的BiCS NAND与CBA技术，将高层数3D NAND存储单元与高速逻辑层紧密堆栈，实现高带宽、低延迟且高密度的互联。

虽然目前AI市场仍以HBM为核心，但HBF在节能与降低HBM压力上的优势，让其成为未来NAND技术的重要发展方向之一，并有潜力在特定应用中补足甚至改变现有内存配置格局。

HBF内存样品预计将于2026年下半年推出，首批搭载该技术的AI推论硬件预计于2027年初问世。业界预期，凭借SK hynix与多家AI芯片制造商的紧密合作关系，HBF一旦完成标准制定，有望快速获得市场采用。

（首图来源：Sandisk）