英特尔日前宣布，完成世界首套商用高数值孔径（High NA）EUV曝光机安装，这套资约3.5亿美元的庞然大物年底激活，先训练开发Intel 18A制程，之后量产Intel 14A。
韩国媒体TheElec报道，生产High NA EUV的荷兰商艾司摩尔 (ASML) 截至2025上半年，大部分High NA EUV订单由英特尔全部吃下，包括2024年五套曝光机全部给英特尔使用。ASML的High NA EUV产能每年约五至六套，代表英特尔将获所有初始产能，所以三星和SK海力士2025下半年后才能获得设备。
High NA EUV的NA代表数值孔径，指光学系统收集和聚光的能力。数值越高，聚光能力就越强，相较标准EUV 0.33数值孔径增加到0.55，1.7倍标准EUV的密度，2D尺寸可达190%密度提升。
英特尔芯片代工逻辑开发部门曝光、硬件和解决方案主管曾强调，英特尔年底将High NA EUV训练开发Intel 18A制程，包括High NA EUV和标准0.33 NA EUV混合测试，之后Intel 14A制程进入量产。还预计High NA EUV曝光机至少三节点的先进制程沿用，将制程推进到埃米时代。
更先进曝光发展，英特尔认为，光线波长进一步缩短至6.7纳米，导入大量新问题，包括更大的光学组件的发展，比High NA EUV更先进、更大数值孔径的Hyper NA EUV的方向。英特尔认为，未来与EDA厂商合作，集成技术开发，方便相关用途。
英特尔自2021年重回芯片代工市场后，需要比竞争对手更快采用High NA EUV赢得客户信任，但英特尔芯片代工业务2023年总计亏损70亿美元，英特尔还有很长的路要走。
(首图来源：英特尔)
