根据ZDNet Korea的报道，尽管人工智能（AI）产业蓬勃发展，对高容量存储的需求日益攀升。不过，三星电子在推进其第9代（V9）QLC NAND Flash商业化的进程中却遭遇了显著的技术瓶颈，这使得原定于2024年下半年启动首次量产的计划，现因性能问题而延期。目前三星公司正全力进行设计及制程端的改进工作，以应对日益增长的市场需求，并巩固其在高附增值内存市场的地位。

报道指出，三星电子已将V9 QLC NAND的全面商业化进程，至少推迟至2026年上半年。这项延期对于三星在高容量NAND市场的竞争力构成压力，尤其是在AI产业对数据处理能力提出更高要求之际。

事实上，三星V9 NAND其采用了280层堆栈设计。2024年4月，公司已成功量产采用TLC结构的首批V9 NAND产品，期达到了1TB的容量。而为了进一步提升存储密度，三星于2024年9月宣布将量产V9 QLC NAND产品。相较于TLC，QLC NAND在实现更高容量存储设备方面具有显著优势，QLC也因此成为满足现代数据中心和AI应用庞大数据需求的关键技术。

然而，据多位熟悉情况的业内人士透露，三星电子在V9 QLC NAND的商业化过程中遇到了困难。初期的产品表现出性能下降的现象，问题根源在于设计层面。因此，为解决这些性能瓶颈，三星电子目前正积极针对V9 QLC NAND进行设计和制程端的改进工作。业界预计，这些改进工作最快有望在2026年上半年完成。

与此同时，为配合未来量产的需要，三星也计划扩大V9 NAND的生产能力。公司正在讨论2026年上半年在平泽园区和中国西安的芯片厂进行V9 NAND的转换投资。尽管具体的投资规模尚未确定，但由于平泽和西安厂区已小规模导入V9 NAND生产线，预计接下来的总生产能力将会进一步提升。

报道指出，V9 QLC NAND对三星的高附增值内存业务具有举足轻重的作用。因为当前NAND市场正因AI产业的发展而经历结构性转变，对高容量产品的需求呈现爆炸性增长。不过，在QLC NAND市场，三星电子的主力产品仍停留在V7时代，而其下一代V8 NAND并未推出QLC产品。这导致了即便三星在整体NAND市场中保持着市场占有率第一的地位，但在QLC NAND市场中却相对处于劣势。

根据市调机构TrendForce和外资摩根士丹利的调查数据，预计2026年全球QLC NAND的出货量中，三星电子的占比仅为约9%。相比之下，SK海力士的子公司Solidigm预计将占36%，铠侠（Kioxia）和SanDisk合计占29%，至于美光市场占有率比则达到17%。这些数据凸显了三星在QLC NAND领域的竞争压力。

报引导用韩国半导体业界相关人士的说法指出，在全球大型科技公司投资以及现有成熟NAND替换需求的推动下，QLC NAND的重要性日益凸显。他进一步强调，三星电子若想从中受益，必须确保最尖端产品的稳定扩大生产。这样也代表着三星电子必须克服V9 QLC NAND的技术挑战，才能有效抓住AI时代带来的市场机遇，并在高容量NAND市场中重新确立其领先地位。所以，公司未来数月的改进成果，将成为业界关注的焦点。

(首图来源：三星)