韩媒传出，三星电子（Samsung Electronics Co.）支持次世代高带宽内存“HBM4”的4纳米逻辑晶粒（logic die）测试良率已超过40%。

朝鲜日报16日引述未具名消息来源报道，以三星4纳米制程制造的逻辑晶粒试产良率最近突破40%。相较之下，之前百度（Baidu）以同样制程生产的芯片良率仅有15-19%。

一名业界高层表示，一开始的测试良率就有40%、是一个表现相当不错的数字，足以支持公司推进商业计划。一般来说，新制程的良率一开始只有约10%，之后会随着量产逐步提升。

在HBM3E市场落后SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）的三星，如今把赌注押在HBM4。三星不像对手依靠台积电代工逻辑晶粒，而是运用自家的先进制程，能够为全球科技巨头定制化芯片、满足量身定制HBM日益增多的市场需求。

三星HBM4项目能否成功，就看其内存单位量产第六代10纳米等级（1c） DRAM芯片的能力。HBM4 12层产品结合了逻辑晶粒与1c DRAM。对手SK海力士的HBM4则是采用前一代的1b DRAM，若三星能稳定量产1c DRAM、则有望在性能方面取得优势。

（首图来源：Samsung）