近期内存市场价格狂飙，但从近期消息来看，内存制造商预计不会大幅增加标准内存的产量，以满足AI产业的需求。研调机构TrendForce调查，内存厂商正限制在扩展产能上的资本支出，转而专注于制程技术研发、通过堆栈提升芯片密度，以及生产利润更高的高带宽内存（HBM）。
目前美光、SK海力士与三星预期将投入540亿美元的资本支出，但重点放在提升AI芯片用HBM模块的性能上，因此尽管DRAM产业的投资年增14%，现有的内存芯片产量仍不会增加。
外媒Tom's Hardware推测，缺货现象恐延续至明年、甚至延续至2027年。专家认为，由于AI芯片需求庞大、基础设施建设持续推进，价格高涨的局面可能长达十年。
TrendForce指出，DRAM产业的资本支出在2025年预计将达到537亿美元，预计2026年进一步增长至613亿美元，年增率达14%；NAND Flash部分，资本支出在2025年预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5%。
Read More at DatatrackTrendForce预期，随着内存平均销售价格（ASP）持续提升，供应商获利也增加，在这情况下，DRAM与NAND Flash后续的资本支出也将持续上涨，但对2026年的产出增长注资有限，并预期NAND Flash供不应求的状况会延续至2026全年。
虽然目前市场对内存与存储芯片的需求强劲，但从业界说法来看，目前AI市场已经存在泡沫，分析师则认为，若要将所有基础设施投资合理化，每年营收至少需达到6,500亿美元。
内存芯片制造商对于投入数十亿美元建设新产线仍持谨慎态度，若需求不如预期，可能造成数十亿美元的投资落空。即便现在建设新厂，也至少要数年时间才能完全运行，因此内存厂商更倾向将资本支出集中在回报率更高、效率更佳的技术上，如改造现有DRAM产线，而非新建产线，但代价是消费者用的内存模块产量将会减少。
（首图来源：Freepik）
