为应对用于人工智能 （AI） 的半导体需求大幅增长，SK海力士、三星、以及美光都加大了在高带宽内存 （HBM） 领域的开发力道，加速推进第六代HBM，也就是HBM4产品的开发。随着HBM的改朝换代速度加快，第七代HBM产品HBM4E的开发也出现在了发展计划上。

日前，美光就分享了最新的HBM4和HBM4E的开发情况。其中，HBM4有望在2026年量产，HBM4E也会在2027年至2028年之间亮相。住些HBM产品除了提供更高的数据传输速度之外，HBM4E还将采用定制化的基础芯片，这代表着产业模式的转变。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，HBM4E将带来内存业务的模式转变，其因为采用了台积电先进的逻辑代工制程技术，为某些客户定制化逻辑基础芯片，这预计将能带美光业绩保线的改善。

不过，目前暂时还不清楚美光的基础芯片设计，其除了基本的功能外，可能还会有什么样的功能。根据市场预期，美光新一代的基础芯片将有增强的暂存、为特定应用程序 （如AI、HPC、网络等） 所量身订做的自行定义界面协议、内存到内存传输功能、可变界面宽度、先进电压缩放和供电控制，以及自行定义ECC与安全性算法等。由于涉及到标准方面的问题，也尚不清楚JEDEC标准是否支持此类定制化内容。

美光表示，当前HBM4E的开发工作顺利，已经与多个客户进行合作，可以预期会采用不同的基础芯片和配置，完成定制化设计的目标。同时，美光在HBM4E部分还可能支持Marvell的定制化HBM运算架构，以便更好得定制化各种XPU和HBM解决方案。

此外，美光的HBM4将采用第五代10纳米制程技术的级别1b制程来生产，预计用于英伟达的Rubin和AMD Instinct MI400系列GPU上。这相较于竞争对手SK海力士和三星都倾向于采用更为先进的第六代10纳米制程技术的级别1c制程来生产，其市场竞争优势有待考验。

(首图来源：shutterstock)