Intel Foundry Direct Connect 2025 Intel 14A导入高数值孔径极紫外光技术

在Intel Foundry Direct Connect 2025活动上，Intel多位主管以及合作伙伴说明多种先进制程的特色与技术，强调性能表现优势。

Intel资深副总裁暨芯片代工服务总经理Kevin O'Buckley在Intel Foundry Direct Connect 2025活动中说明了Intel 18A、Intel 14A等先进制程节点，另一方面也不忘Intel 16、Intel 12等成熟制程节点，彼此有不同特色，能够满足多样、差异化的客户需求，甚至与美国政府在多个不同计划进行广泛合作。

（笔者注：Intel 16、Intel 12之单位为纳米，代表16nm、12nm节点之意。而Intel 18A、Intel 14A之单位为埃，代表1.8 nm、14nm节点之意。详细请见下方延伸阅读）

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Kevin也说明多项先进封装的技术进展，并解释通过先进封装集成运算单元于HBM高带宽内存，改善AI运算性能表现。

Intel资深副总裁暨芯片代工服务总经理Kevin O'Buckley在活动中介绍崜蓊制程特色。

根据Intel Foundry芯片制造路现图，2025年将推出业界首次导入PowerVia（背面供电）的Intel 18A制程节点，并在2027年推出业界首次导入高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）的Intel 14A制

Intel 18A制程节点目前已进入风险试产（Risk Production）阶段，并预计于2025下半年开始量产。（投影为活动现场拍摄，画质较差敬请见谅。下同。）

Intel 18A-P制程节点则强化性能表现，且设计规则与Intel 18A兼容，有助于客户转移设计。

Intel 18A-PT制程节点则是加入TSV功能，有助于在套用先进封装时堆栈不同模块（Tile）或小芯片（Chiplet），也能作为AI运算单元、加速器等应用的基底裸晶（Base Die）。

Intel 14A节点制程目前已向主要客户提供制程设计组件（PDK）的早期版本，已有多个客户计划生产测试芯片。

在成熟制程方面，Intel 16节点制程将与MediaTek（联发科技）合作。

Intel 12节点制程则与MediaTek（联发科技）合作。

Intel也与美国联邦政府进行RAMP、RAMP-C（Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial）、Secure Enclave、SHIP等计划合作，将先进科技应用于航天与军事领域。

在先进封装方面，未来将会推出EMIB-T、 Foveros-R、Foveros-B和Foveros Direct3D等强化技术。

例如导入TSV的EMIB-T技术能够提高信号传输品质，让AI运算加速器能够集成HBM4高带宽内存，通过提高数据吞吐量以改善性能表现，并可提高芯片切割的利用率，对整体良率有正面帮助。

Intle也于会中展示各种制程以及玻璃基板封装之芯片。

Cadence（益华计算机）与Intel为长期密切合作的伙伴，其电子设计自动化设计（以下简称EDA）也支持RibbonFET（环绕式闸极）、PowerVia（背面供电）等新技术。

活动中Cadence（益华计算机）半导体解决方案集团资深副总裁暨总经理（Senior Vice President And General Manager, Silicon Solutions Group）Boyd Phelps也通过数据说明上述技术能带来的性能增益，其中PowerVia大约能够提高芯片6%的整体性能表现，RibbonFET则有8%的增益。

Boyd Phelps在活动中通过EDA的角度分析Intel 18A制程节点的性能表现。

Cadence的EDA系统能够针对PowerVia的线路设计进行优化。

Intel 18A制程节点导入的PowerVia技术大约能够提高芯片6%的整体性能表现。

在Intel 18A-P制程节点部分，RibbonFET技术大约能够提高芯片8%的整体性能表现。

Intel逻辑技术发展副总裁暨总经理（VP GM Logic Technology Development）Ben Sell也针对自家技术与制程进行详细说明。

他提到了Intel 18A与Intel 14A制程节点的各项特色，也分析了性能表现，并说明采用高数值孔径极紫外光的优势。

Ben Sell也针对Intel的技术与制程进行详细说明。

Intel 18A制程节点的特点就是业界首个导入RibbonFET与PowerVia的制程。

与前代Intel 3制程节点相比，Intel 18A制程节点能够在消耗相同电力的条件下提高15%性能，并提高1.3倍晶体管密度。

根据Intel的测试数据，使用Intel 18A制程节点生产的SRAM表现符合业界标准。

Intel 18A制程节点的风险试产与2025第4季量产版本的表现也都能符合开发目标。

虽然Intel 18A制程节点的PowerVia会增加生产成本（图表中浅蓝色部分），但生产过程也可以结省标准程序部分的成本（最右方长条图下降的区块），一来一往只让整体成本微幅提高。

Intel 18A-P制程节点的RibbonFET将提供更多功能，增加更多闸极尺寸（Ribbon Size）与VT类型（阈值电压，Threshold Voltage）选项，可以带来8%性能增益。

Intel 18A-PT制程节点是加入TSV功能的版本，相较于Intel 3-T制程节点能够提高20-25%运算密度、节省25-35%的电力消耗，并可提高约9倍裸晶间的互联密度。

Intel 14A制程节点带来Tall（性能最高）、Medium（表现平衡）、Short（缩小尺寸）等3种不同Library设计，以及更广的阈值电压，并会导入第2代RibbonFET与PowerVia发展而来的PowerDirect直接接触供电技术。与Intel 18A-PT制程节点相比可以提高15-20%电力效率，并提高1.3倍晶体管密度。