据韩国媒体《ETNews》报道，为了纪念iPhone问世20周年，苹果正在开发多项技术创新，其中一项核心技术是“行动高带宽内存”（Mobile HBM）。

HBM是一种先进的DRAM技术，通过“硅通孔”（TSV）将内存芯片垂直堆栈，显著提升信号传输速度。该技术目前广泛应用于AI服务器，因此也常被称为“AI内存”，可搭配GPU支持大规模AI运算。

所谓“行动HBM”，即为针对手机等移动设备设计的HBM变体，其目标是在保有高数据传输率的同时，降低功耗与内存芯片面积。为提升设备端AI能力。报道指出，苹果正考虑将Mobile HBM与iPhone GPU单元集成，作为实现此目标的有力选项。

这项技术有望为iPhone带来当地运行大型AI模型的能力，例如推论大型语言模型或进行高端视觉任务，并兼顾低耗电与低延迟。

报道也提到，苹果可能已与主要内存供应商，如三星电子与SK海力士，洽谈合作方向。这两家公司目前都在开发各自版本的Mobile HBM；三星采用名为VCS（Vertical Cu-post Stack）的封装技术，而SK海力士则研发VFO（Vertical wire Fan-Out）方案，两者均预计于2026年后量产。

不过，Mobile HBM在制程上仍面临挑战，包括制造成本远高于现行LPDDR内存，以及散热问题，尤其对象iPhone这类轻薄设备而言。3D堆栈与TSV封装也需依赖高度成熟的制程与良率控制。

若苹果最终于2027年的iPhone采用此项技术，将成为其推动iPhone 20周年纪念机型创新的一大亮点；另一大亮点则是该机型据传也将搭载四边无边框屏幕设计。

（首图来源：Unsplash）