SBI控股公司去年9月决定解除与力积电（PSMC）签订的半导体制造合作协议，将寻找新的合作伙伴。市场消息传出，SBI宫城芯片厂计划找来联电和SK海力士合作，但路透社最新报道，SBI发言人表示“报道不实”。

根据《日刊工业新闻》7日报道，SBI计划在宫城县兴建的半导体工厂，传出找来联电、SK海力士为合作对象展开协商。其中，与SK海力士合作主要是DRAM后段制程，与联电合作则是开发车用芯片。

不过SBI随即否认这消息，该公司发言人今（7日）表示“该报道不属实”。

SBI去年9月宣布，将解散与力积电的合资企业，当时双方曾寻求政府补助，以在日本北部建设芯片代工厂。SBI当时表示，仍考虑与其他企业在半导体相关业务上进行合作。

力积电当时回应，力积电为台湾股票上市公司，为没有主导性持股的日本新厂保证运营，将违反台湾证券交易法，因此力积电董事会已于月前董事会确认停止日本新厂合作计划，并派员前往经产省当面向主管官员说明，也已发函告知SBI此消息。

SBI于2023年8月与力积电成立合资公司，并于同年10月宣布在宫城县建设半导体厂，预计于2027年量产车用半导体，计划总投资额为8,000亿日元，政府预计在初期投资阶段提供最多1,400亿日元的补助。

据报道，SBI宫城芯片厂将分为两期工程，第一期工程目标2027年投产、以12英寸硅芯片换算的月产能为1万片，将生产40nm、55nm芯片；第二期工程预计2029年投产，除上述40nm、55nm产品之外，也将生产28nm及活用WoW（Wafer-on-Wafer）技术的芯片，届时工厂满负荷生产时、月产能将达4万片。

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