根据韩国媒体ZDNET Korea的报道表示，韩国三星内部已于第三季决定调整平泽园区P4产线第一期 （Phase 1） 的产能分配，就是要从纯NAND Flash闪存的生产，调整为NAND Flash+ DRAM的生产，以应对市场需求变化。

报道表示，这次的产能改变可由该产线的内部代号名称更改中看出来，原本该产线定名为P4F，尾部的F即指Flash闪存。但如今现在的名称是P4H，H是Hybrid混合的简写，显示产线不只支持一个大项的半导体生产。

事实上，平泽园区P4产线第一期现已部分进驻NAND Flash闪存生产设备，三星目前计划到年底前将该产线NAND Flash闪存的生产能力提升至每月1万片芯片。不过，由于市场的不确定性，到2025年中才有可能为V9 QLC NAND先进产品的进一步投资规划。

而在DRAM生产部分，平泽园区P4产线第一期未来有望具备3-4万片芯片的月产能，制程方面则是导入三星目前最为先进的10纳米级1a、1b制程技术，以应对竞争对手的产能扩张，并在三星内部其他DRAM产线技术升级之际，持续保持对市场的充足供应。

根据规划，三星的平泽园区P4产线总共包含四期构建计划，其中三期DRAM产线即将开建，至于第二期芯片代工产线则是在先前的决定中进一步暂缓投资。

(首图来源：SAMSUNG)