外媒报道，NEO Semiconductor宣布推出一项新技术，希望彻底改变DRAM内存的现状。该公司推出了两款新的3D X-DRAM单元设计，包括1T1C和3T0C，其单晶体管单电容和三晶体管零电容的设计，预计将于2026年生产概念验证测试芯片，并将提供当前一般DRAM模块10倍的容量。
根据Tom's Hardware的报道，借由NEO现有的3D X-DRAM技术，新发布的技术据称能够在单一模块上容纳512 Gb（64 GB） 容量，这比目前市面上任何模块至少多10倍。而在NEO的测试模拟中测得了10 ns的读/写速度以及超过9分钟的保留时间，这两项性能也领先当前DRAM的能力。
报道表示，于采用了基于氧化铟镓锌 (IGZO)- 一种因其在显示技术中的应用而闻名的晶体材料的设计，1T1C和3T0C单元可以像3D NAND一样构建，也就是采用堆栈设计，可以提高容量和吞吐量，同时保持节能的状态。这些存储单元采用改进的3D NAND制程设计，NEO希望现有的3D NAND制造设施能够快速轻松的升级，并且生产新设计的产品。
NEO首席执行官Andy Hsu表示，随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正在重新定义内存技术的可能性。而且，这项创新突破了当今DRAM的扩展限制，并使NEO成为下一代内存的领先者。
NEO Semiconductor预计将于本月在IEEE IMW上分享更多有关1T1C、3T0C、以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列产品的资讯。随着采用FeRAM的DRAM+ 等公司和技术也在争夺DRAM技术的下一带发展，这使得SK海力士等大型供应商也乐于开发更大的标准DRAM。即便当前3D X-DRAM面临着挑战，但仍旧引起大家的关注。
(首图来源：NEO Semiconductor官网)
