就在台积电即将于2025下半年推出划时代的2纳米N2节点制程之际，其竞争对手英特尔的Intel 18A制程也紧锣密鼓开发。市场甚至传出，包括英伟达 (NVIDIA) 和博通 (Broadcom) 等ASIC设计大厂，都已开始测试Intel 18A，同时三星芯片代工部门也积极与英伟达、高通等客户洽谈评估2纳米制程，希望地缘政治变局下争取订单。由此可见，当前顶尖芯片代工厂的竞争焦点，已全面转向2纳米竞逐。
尽管市场竞争态势已然确立，各家厂商皆积极备战，然而，目前的市场发展态势仍以台积电独占鳌头，英特尔与三星则明显落后。根据台积电于5月15日技术论坛台北场上公布的资讯，其N2制程不仅维持原定计划，将于2025年下半年进入量产，且其256Mb SRAM的平均良率已超过90%。更值得一提的是，N2量产第二年的新设计定案 (tape-outs) 数量，相较于同期的N5制程，大幅增长了四倍。
至于备受瞩目的N2P制程，也按计划将于2026年下半年开始量产。相较于N3E制程技术，N2P将能在相同功耗下提升高达18%的运算速度，或在相同速度下降低约36%的功耗，同时逻辑密度也将增加1.2倍。此外，另一改良型N2X制程预计将提供约10%的最大时钟频率 (Fmax) 提升，并计划于2027年投入量产。整体而言，N2制程获得客户高度采用，第一年的采用量即为N3/N5同期的两倍，第二年更达到四倍之多。外资报告甚至指出，在此强劲的需求下，N2节点制程有望超越N3，成为台积电最畅销的制程技术。
相较于台积电对N2制程的乐观预期，被视为背水一战的英特尔Intel 18A，尽管目前正积极优化制程并争取客户，但其后续发展仍有待观察。英特尔日前芯片代工大会数据，Intel 18A集成PowerVia、BSPDN等，较上代Intel 3密度提升超过30%。PPA (性能、功耗、面积) 方面，采用Intel 18A标准Arm核心架构的芯片，1.1V电压下可实现25%的速度提升以及36%的功耗降低。此外，Intel 18A的面积利用率也优于Intel 3，制程具更高面积效率和更高设计密度潜力。
从已公布数据看，Intel 18A的确展现不俗实力，这也成为英特尔积极争取高通与博通等潜在客户的重要依据。路透社报道，英特尔首席财务官David Zinsner在摩根大通（J.P. Morgan）于波士顿举行的全球科技、媒体与通信会议就坦言，试产芯片后部分客户已退出，实际承诺的量并不大。台积电N2尚未量产，便预估量产第二年客户采用数量较3/5纳米翻涨四倍，两者有天壤之别。
韩国朝鲜日报引述市场人士消息，三星芯片代工部门很快进入英伟达GPU和高通AP的2纳米性能评估最终阶段。三星芯片代工正积极努力，不仅要提升自家Exynos 2600量产，更着眼于客户供应商多样化的趋势，希望地缘政治考量下，争取到部分2纳米订单。
台海地缘政治风险日益升高，促使全球大型科技公司意识到不能过度依赖单一供应商台积电。因此，即便初期效益可能不如预期，潜在客户近来也已开始评估与三星合作的可能性。这显示当前市场多数客户仍倾向与台积电合作，但基于地缘政治的考量下，也开始尝试与三星芯片代工部门创建合作关系。
法人指出，先前传出AMD倾向采用台积电在美国的产能，并计划将原先给三星芯片代工部门的4纳米产能订单，将转移至台积电亚利桑那州芯片厂的消息来看。未来地缘政治因素能否在产业内持续发酵，还是台积电能借美国芯片厂吃到其他竞争对手的商机，仍有待进一步观察。
(首图来源：台积电)
