力积电第三季财报显示单季净损较上季度缩小，但仍为连续第九季亏损，前三季也为亏损；亏损缩小主要受挫价损失回冲与汇损减少影响，单季稼功率约78%，整体获利尚未恢复至正数。

产品组合方面，力积电第三季内存出货提升，DRAM与NAND营收贡献增加，内存占比显著上升；HBM（High Bandwidth Memory）需求持续增长，加上韩系厂商减产带动SLC NAND回温，整体内存平均售价上涨已开始反映至代工出货。

资本支出方面，力积电已将2025年资本支出由原定约4.54亿美元下修至3.41亿美元，部分投资进程延后至次年执行。力积电身为代工厂，产品售价上涨对代工费的反映有时间差，11月起可逐步看到价格上升的递延效果。

先进封装布局，力积电以硅中介层（Interposer）为核心的2.5D封装良率已达量产水准，将扩大投片；3D芯片堆栈（Wafer-on-Wafer，WoW）目前进入概念验证阶段，若验证顺利，量产进程有望落在2026下半年。

营收动能方面，近期月营收维持在近年高位区间，已为连续数月出现年增；内存投片与价格上涨背景下，带动第四季投片量与代工价格有机会同步上涨。

（首图来源：科技新报）