荷兰商艾司摩尔 (ASML) EUV曝光机为先进半导体生产关键,ASML有序执行蓝图,首阶段是标准EUV后迎接High-NA EUV,去年底ASML就交货英特尔首套High-NA EUV。ASML上周又证实,年底交货台积电High-NA EUV。半导体业刚准备迈入High-NA EUV时代,ASML又开始研究下代机台Hyper-NA EUV,寻找合适解决方案。
EETimes报道,ASML公布下代机台Hyper-NA EUV蓝图,目前为开发早期阶段。ASML前首席技术官Martin van den Brink 5月imec ITF World演讲表示,长远来说,Hyper-NA EUV需改进光源系统,须采Hyper-NA基础,同时还需将所有系统生产效率提升到每小时400-500片芯片。
ASML计划2030年推出Hyper-NA EUV,数值孔径达0.75。High-NA EUV数值孔径0.55,标准EUV是0.33。精确度提高,可有更高分辨率图案化及更小晶体管特征。对ASML而言,Hyper-NA技术还能推动整体EUV平台,改善成本和交货时间。
Hyper-NA EUV一定会遇到新挑战,如光阻剂要更薄。照imec图案化项目总监Kurt Ronse说法,High-NA EUV应可包括2-1.4纳米节点,再到1-0.7纳米节点,之后由Hyper-NA EUV继续。
2022年接受媒体采访时,Martin van den Brink表示,ASML研究Hyper-NA EUV主要目标是提出智能解决方案,成本和可制造性方面都保持可控。Martin van den Brink担心成本许可制造性代价可能高得惊人,如果制造成本增长速度与High-NA EUV一样,商业化从经济面看几乎不可行。
不过Martin van den Brink 2023年再谈到Hyper-NA EUV时,似乎更有信心,认为Hyper-NA EUV是机会,成为2030年后新愿景。Hyper-NA EUV比High-NA EUV双重曝光的成本更低,也为DRAM产业带来新机会。
(首图来源:ASML)