ASML预定2030年供应Hyper-NA EUV，能否商业化关键就是成本

荷兰商艾司摩尔 (ASML) EUV曝光机为先进半导体生产关键，ASML有序执行蓝图，首阶段是标准EUV后迎接High-NA EUV，去年底ASML就交货英特尔首套High-NA EUV。ASML上周又证实，年底交货台积电High-NA EUV。半导体业刚准备迈入High-NA EUV时代，ASML又开始研究下代机台Hyper-NA EUV，寻找合适解决方案。

EETimes报道，ASML公布下代机台Hyper-NA EUV蓝图，目前为开发早期阶段。ASML前首席技术官Martin van den Brink 5月imec ITF World演讲表示，长远来说，Hyper-NA EUV需改进光源系统，须采Hyper-NA基础，同时还需将所有系统生产效率提升到每小时400-500片芯片。

ASML计划2030年推出Hyper-NA EUV，数值孔径达0.75。High-NA EUV数值孔径0.55，标准EUV是0.33。精确度提高，可有更高分辨率图案化及更小晶体管特征。对ASML而言，Hyper-NA技术还能推动整体EUV平台，改善成本和交货时间。

Hyper-NA EUV一定会遇到新挑战，如光阻剂要更薄。照imec图案化项目总监Kurt Ronse说法，High-NA EUV应可包括2-1.4纳米节点，再到1-0.7纳米节点，之后由Hyper-NA EUV继续。

2022年接受媒体采访时，Martin van den Brink表示，ASML研究Hyper-NA EUV主要目标是提出智能解决方案，成本和可制造性方面都保持可控。Martin van den Brink担心成本许可制造性代价可能高得惊人，如果制造成本增长速度与High-NA EUV一样，商业化从经济面看几乎不可行。