就在日前中国DRAM厂长鑫存储（CXMT）传出已完成自主研发，并且开始量产LPDDR5 DRAM内存芯片的消息之后，引起韩国业界的震撼。因为一旦消息属实，这一进展将使中国的DRAM技术仅落后韩国三星四年的时间。

根据韩国媒体BusinessKorea的报道，长鑫存储日前在其网站上宣布，已研发出中国首款LPDDR5 DRAM内存芯片。该公司将推出一系列LPDDR5产品，包括12GB LPDDR5、POP封装的12GB LPDDR5和DSC封装的6GB LPDDR5等。其LPDDR5代表第五代低功耗DRAM，与上一代LPDDR4X相比，新一代LPDDR4X的容量和速度提高了50%，容量达到12GB，数据传输速率达到6,400Mbps，同时功耗降低了30%。

长鑫存储表示，计划大幅提升产品整体性能，快速提升市场占有率。尤其，自家的LPDDR5产品已经在小米、传音等中国主要手机厂商的机型上完成验证，所以当前正在全力加速营销工作。

事实上，韩国三星是在2019年7月率先在业界宣布量产12GB LPDDR5移动DRAM。竞争对手美光则是于2020年2月开始供应6GB、8GB和12GB内存容量的LPDDR5 DRAM。至于，SK海力士则是在2021年8月宣布量产18GB LPDDR5移动DRAM产品。就这些时间点来分析，长鑫存储与国际大厂家的技术落差大约在四年。

不过，在量产方面，长鑫存储与三星等竞争对手仍有很大差距。根据市场研究及调查公司DRAMeXchange的数据显示，2023年第二季全球DRAM市场增长11.9%，达到106.75亿美元。其中，三星、SK海力士、美光三家厂商的市场占有率超过95%。所以，长鑫存储的产品目前对市场影响力微不足道。

长鑫存储成立于2016年，以从事DRAM的设计、研发、生产和销售为主。该公司在合肥和北京运营12英寸芯片厂。2022年10月，美国已经将长鑫存储列入出口管制清单。

(首图来源：长鑫存储)