美商内存大厂美光在21日发布截至2月29日2024财年第二季财报，DRAM和NAND Flash等产品未来与现状介绍。DRAM方面，美光导入EUV制程下代1-gamma制程DRAM已试产，下代NAND Flash闪存开发也按计划进行，目标2025年完成量产目标。
美光表示，四分之三DRAM内存颗粒仍在1-alpha/beta节点生产，NAND Flash闪存则有90%产能位以176 /232层制程生产。应用分析，传统服务器内存，美光业界率先完成单层结构的32GB芯片128GB服务器内存验证，预计半年内内存模块就可达数亿美元营收目标。达更高速率MRDIMM产品，美光宣布开始验证256GB单条。
LPCAMM2模块产品，美光表示服务器产业也采用，保持LPDDR高带宽、低功耗优势同时，也能拥有可插拔特性。服务器LPCAMM2模块容量可达128GB。
消费性存储产品方面，美光表示消费性固态硬盘产品QLC颗粒出货量创新高，占整体出货量三分之二，巩固消费性QLC固态硬盘领导者地位。美光2022年初就推出OEM/SI的2400系列PCIe Gen4 QLC固态硬盘，消费级品牌也于同年9月推出P3（Plus）固态硬盘，部分采QLC内存。
(首图来源：科技新报摄)
