华邦电业绩逐季爬升，2026年希望成为第七家半导体千亿营收企业

在全球内存产业面临技术时代交替之际，DDR4市场正经历前所未有的结构性变化，导致供应缺口浮现，内存大厂华邦电表示，自2025年7月以来，市场“温度”明显上升，许多客户急于洽谈较长时间的订单，显示对特定产品，特别是DDR4，抱持高度期望。

华邦电总经理陈沛铭表示，DRAM市场需求的升温，并非仅是景气循环，而是源于结构性改变。核心原因在于国际三大DRAM制造商正积极转向先进制程，例如12纳米及以下节点。然而，12纳米、11纳米，甚至13纳米、14纳米等精细制程节点，为了弥补设计上的缺陷，都需配置所谓的错误校正电路 (ECC Circuit)。

陈沛铭强调，根据JEDEC的DDR4标准（Jteck standard），DDR4产品不允许包含ECC电路。这意味着一旦三大厂转换13纳米以下的制程，他们将无法回头生产DDR4产品。这使得DDR4的供应生产线被大幅萎缩，市场上只剩下少数厂商，目前看来仅有华邦电及南亚科等两家公司仍持续供货。

因此，尽管终端应用如PC正转向DDR5，但许多领域（如SOC相关）因DDR5内存控制器的结构较为复杂、成本较高，且制程需用到台积电12纳米加、10纳米或7纳米等级，使得传统应用仍倾向使用成本效益较高的DDR4。所以，DDR4供应量目前“不够”，短期内缺货难以解决。此外，市场上出现DDR4价格与DDR5价格“倒挂”的现象，部分原因可能是主流供应商故意压低DDR5价格，以加速市场转向。

面对DDR4的强劲需求，陈沛铭表示，华邦电正采取多重策略应对：

1.该公司已完成16纳米制程的CPR (Conditional Protection Release)，正从20纳米制程迁移至16纳米。在维持既有芯片片数（目前高雄厂为15K片，满负荷约27K片）不变的情况下，转换到16纳米制程可使单片芯片的颗粒产出增加约30%。

2.尽管制程微缩提升了产出，但产能仍不足。公司正规划增加芯片片数。本月底将召开董事会，讨论新的投资计划。新机器的交期约需9个月至1年，预计产能扩展的效益最快可能于2026年第三季后实现。

16纳米的首批8G产品目前正在送样，预计2026年第一季末或第二季初开始小量产。由于DRAM的生产周期长（从投片到产出约需120多天），这意味着市场缺口在明年第一季仍将持续。

除了DRAM，华邦电的另一大业务-NOR Flash也表现亮眼。公司是全球NOR Flash市场的领导者，应用涵盖车用、PC和网通等领域。陈沛铭指出，第三季NOR Flash价格已略有上涨，预期后续仍有机会继续上调。需求强劲的主因是密度变大。例如，以前单一设备使用256Mbit，现在可能转为512Mbit。由于高密度产品所需的芯片面积较大，导致同样一片芯片片能产出的颗粒数减少，从而推升了对芯片产能的总体需求。

从外部环境来看，地缘政治因素也为台厂带来机会。陈沛铭指出，部分中国客户因背后因素，正要求将美光（Micron）产品替换掉，转向寻找其他供应商。这种“去美光化”的需求，为台厂提供了直接的业务机会。在竞争方面，虽然中国大陆的长鑫存储（CXMT）被视为全球第四大DRAM制造商，产能据称接近第三大厂（美光），但其营收却仅有美光的5%。重要的是，CXMT也公开表示将转向HBM和DDR5，显示其也将放弃DDR3和DDR4市场。这进一步巩固了该公司在成熟制程利基型DRAM市场的地位。

在尖端技术上，该公司正积极布局边缘运算AI (Edge AI)，特别是其Cube架构技术。该架构与HBM不同，不需复杂的Base Controller，控制器可直接集成在SOC中。公司预计Edge AI技术将在2026年下半年有显著进展，并在2027年成为主要业务。

陈沛铭进一步指出，综合DRAM和NOR Flash市场的强劲表现，该公司对2025年第四季及2026年整体表现持乐观态度。预计业绩将持续增长，获利能力也会改善。陈沛铭充满信心地表示，希望2026年有机会将营业额推升至千亿新台币，加入“千亿俱乐部”。这将使该公司成为台湾半导体产业中第七家完成此里程碑的公司、

(首图来源:科技新报摄)