根据韩国经济新闻报道，三星电子将在2026上半年投资约1.1兆韩元，导入荷兰ASML最新一代High-NA EUV两台。据了解，第一台将于今年底前交付，第二台将于明年上半年追加导入。

目前三星已在华城（Hwaseong）园区设有一台研发用High-NA EUV（EXE:5000），主要用于验证线宽缩小与光学对焦精度的稳定性。此次预计采购的新型EXE:5200B，相较前一代EXE:5000（NA 0.33），将数值孔径（NA）提升至0.55，分辨率提升约1.7倍，可在相同芯片面积上刻画更高密度的电路结构，有望进一步提高量产效率与产品良率。

值得注意的是，三星预计于2025年启动2纳米制程量产，并在2027年导入1.4纳米节点。在此过程中，High-NA EUV有望成为缩小线宽与提升良率的核心技术支撑，对其制程竞争力具有关键影响。

随着High-NA EUV的导入，三星有望同步推进高密度DRAM（1c）与先进逻辑芯片的量产，显示其加速迈向次世代制程节点的决心。不过，业界也指出，每台High-NA EUV价格高达约5,500亿韩元，将对公司年度资本支出带来不小压力。导入能否转化为即时效益，仍凭借后续良率与市场需求表现。

反观台积电，目前则尚未将High-NA EUV纳入1.4纳米制程规划。

（首图来源：科技新报）