DRAM内存发明人Robert Dennard于2024年4月23日逝世，享寿91岁。

根据IBM官网指出，Robert Dennard于1932年9月5日出生于美国德州特雷尔。其于1958年获得卡内基理工学院电气工程博士学位，并加入IBM担任研究员。他早年在IBM工作，研究金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 设计和电路应用。而在1960年代，计算机对内存的需求日渐提升，与此同时流行的磁芯随机访问内存正面临密度、成本、性能的极限。

当时，Robert Dennard正在IBM从事金属氧化物半导体（MOS）内存的开发，但此时的方案存在速度过慢、消耗过大芯片面积的问题。因此，在一次偶然中，Robert Dennard脑海中浮现了一个灵感，觉得可以使用单个晶体管中电容器的带电正负记录数据，并通过反复充电实现数据的动态刷新。这一概念在测试成功后成为日后DRAM内存的基础。

Robert Dennard和IBM于1968年获得了DRAM专利，该技术在1970年投入商用后，以其低成本、低功耗、结构简单的优势使磁芯随机访问内存迅速退出市场，并推动了资讯电信技术的快速进步。另外，DRAM内存还与第一批低成本微处理器一同加速了计算机的小型化，以Apple II为代表的早期个人计算机得以在商业上获得成功，也为现在的移动设备打开了市场。

Robert Dennard过去还提出了著名的登纳德缩放定律，指出晶体管变得越来越小之际，它们的功率密度将保持不变，因此功率的消耗与面积成反比，电压和电流则与长度成反比。这条规律统治了半导体业界30多年，同摩尔定律、阿姆达尔定律并称为半导体产业的三大定律。

(首图来源：IBM)