DRAM内存发明人Robert Dennard于2024年4月23日逝世,享寿91岁。
根据IBM官网指出,Robert Dennard于1932年9月5日出生于美国德州特雷尔。其于1958年获得卡内基理工学院电气工程博士学位,并加入IBM担任研究员。他早年在IBM工作,研究金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 设计和电路应用。而在1960年代,计算机对内存的需求日渐提升,与此同时流行的磁芯随机访问内存正面临密度、成本、性能的极限。
当时,Robert Dennard正在IBM从事金属氧化物半导体(MOS)内存的开发,但此时的方案存在速度过慢、消耗过大芯片面积的问题。因此,在一次偶然中,Robert Dennard脑海中浮现了一个灵感,觉得可以使用单个晶体管中电容器的带电正负记录数据,并通过反复充电实现数据的动态刷新。这一概念在测试成功后成为日后DRAM内存的基础。
Robert Dennard和IBM于1968年获得了DRAM专利,该技术在1970年投入商用后,以其低成本、低功耗、结构简单的优势使磁芯随机访问内存迅速退出市场,并推动了资讯电信技术的快速进步。另外,DRAM内存还与第一批低成本微处理器一同加速了计算机的小型化,以Apple II为代表的早期个人计算机得以在商业上获得成功,也为现在的移动设备打开了市场。
Robert Dennard过去还提出了著名的登纳德缩放定律,指出晶体管变得越来越小之际,它们的功率密度将保持不变,因此功率的消耗与面积成反比,电压和电流则与长度成反比。这条规律统治了半导体业界30多年,同摩尔定律、阿姆达尔定律并称为半导体产业的三大定律。
(首图来源:IBM)