日本半导体制造商Rapidus目标2027年实现2纳米芯片量产，计划通过全自动先进封装来加快生产周期，与芯片代工龙头台积电竞争。不过，前英特尔首席执行官Pat Gelsinger表示，Rapidus除了提升生产效率之外，必须展现出独特优势，才能在竞争激烈的先进半导体市场中脱颖而出。

根据日本时报（The Japan Times）报道，Gelsinger在东京记者会上回应有关Rapidus潜力的提问时表示，“我们对日本推动Rapidus上市的努力表示赞赏。但也认为，Rapidus需要具备一些根本性的差异化技术，如果只是试图追赶执行力强大的台积电，却没有具突破性的能力，这条路会非常艰难”。

Gelsinger现在是加州创投基金Playground Global合伙人，该公司专注于投资科技创业公司企业。

与三星、英特尔及台积电等其他主要芯片制造商相比，Rapidus的优势之一在全自动先进封装，可在同一座芯片厂中集成自动化封装与芯片加工，借此缩短生产进程。不过，在初期阶段不会激活这项功能，因为第一阶段厂区仅提供芯片试产，没有封装测试服务。

Rapidus首席执行官小池淳义表示，公司无意与台积电正面竞争，因为Rapidus并不追求超大规模量产，那是台积电的商业模式。部分客户希望获得依其需求量身打造的先进芯片，而非大量生产的通用型芯片，因此Rapidus将专注于与这些客户密切合作，以实现预期成果。

Rapidus目标是在7月前交付首批样品芯片，并将提供早期客户设计工具，以协助他们开发原型产品。

Gelsinger表示，美日是推动未来科技与半导体产业的强大伙伴关系，Playground此次来访的部分原因，是与日本相关企业会面，协助打造具突破性的能力。由于日本企业在半导体材料、封装与设备领域拥有显著市场占有率，合作将为Playground投资的创业公司带来发展机会。

Rapidus已在北海道千岁市的芯片厂内安装ASML的EUV（极紫外光）与DUV（深紫外光）设备，于去年底完成安装。该公司也在IIM工厂旁精工爱普生株式会社千岁工厂地附近，兴建Rapidus Chiplet Solutions（RCS）研发中心，该中心自2024年10月起展开准备作业，并预定本月开始安装设备。

该研发中心将专注于扩大制造后段（post-fab）相关技术的开发，包括改进重新分布层（RDL）、3D封装流程、组装设计工具，以及可用芯片（KGD）测试流程等。

（首图来源：英特尔）