先进ASIC领导厂创意电子今（2日）宣布成功完成HBM4控制器与实体层（PHY）硅知识产权（IP）的投片。该芯片采用台积电最先进的N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装技术实现。

创意表示，HBM4 IP支持高达12Gbps的数据传输速率。通过创新的中介层（interposer）布局设计，优化了信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保HBM4在各类CoWoS技术下皆能稳定运行于高速模式。相较于HBM3，HBM4 PHY实现了2.5倍的带宽提升，并将功耗效率提升1.5倍，面积效率提升2倍。

创意指出，将延续与proteanTecs在HBM、Glink与UCIe IP的技术合作，HBM4 IP也集成了proteanTecs的互联监测解决方案，提供HBM连接信号的可观测性与电气特性分析，进一步提升终端产品的实际运行性能与可靠度。

创意进一步指出，这项里程碑进一步强化在先进IP领域的完整布局，将HBM4纳入HBM3/3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解决方案之列，共同构成完整的2.5D与3D解决方案，为客户提供强大支持，以应对AI、高性能计算（HPC）等最具挑战性的应用需求。

创意总经理戴尚义强调，很自豪成为全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器与PHY IP的公司。将持续致力于提供业界领先的2.5D/3D IP与服务。通过集成HBM4、UCIe-A与UCIe-3D IP，为半导体产业提供全面性的解决方案，以满足市场不断演进的需求。

（首图来源：科技新报）