iDEAL Semiconductor于今年10月16日 –宣布发布其SuperQ™ 150 V MOSFET系列 ，该系列现已开始批量生产，并提供多种业界标准封装的样品 。

新组件扩展了iDEAL SuperQ架构的性能领先优势 ，实现了导通电阻 (RDS(on)) 的创纪录低值 ，同时保持了硅材料在成本、可制造性和坚固性方面的优势 。

SuperQ 150 V系列推出了多款性能优化组件 ，其中包括：

iS15M2R5S1T具有业界并列最低的电阻 ，比次优竞争对手低36% 。

其他版本也正在提供样品，包括：

目标应用包括马达驱动、电池保护电路、AI服务器和开关模式电源 。这些市场对超低传导损耗、高坚固性和可扩展的硅制造有要求 。

iDEAL Semiconductor首席执行官兼联合创始人Mark Granahan表示：“我们的150 V SuperQ MOSFET重新定义了硅的性能极限，实现了曾经被认为不可能的能力 。”他补充说：“我们正在以硅材料久经考验的可靠性、可制造性和成本优势来提供高性能 。这些组件为工业、汽车和数据中心应用开辟了新的设计可能性 。”

所有SuperQ 150 V组件均提供即插即用兼容的业界封装，包括TOLL、TOLT、D2PAK-7L、TO-220和PDFN 5 x 6 mm 。

新系列加入了iDEAL现已投产的200 V SuperQ产品线 ，同时正在开发250 V至650 V平台 ，以将硅的应用范围扩展到更高的电压领域 。

（首图来源：iDEAL Semiconductor）