根据韩国朝鲜日报的报道，三星电子（Samsung Electronics）原定最快于2025年第二季向人工智能（AI）芯片大厂英伟达（Nvidia）供应第五代高带宽内存（HBM3E）产品。然而，这批12层HBM3E的交付进程却遭遇意料之外的延迟。目前，SK海力士（SK Hynix）与美光（Micron）已抢先供货英伟达，使得三星电子在HBM市场的竞争压力日益增加。

报道指出，三星电子预计将从2025年下半年开始向博通（Broadcom）供应HBM3E产品，并有望成为博通HBM3E供应链中的最大供应商，占比超过50%。不过，现在因为供应英伟达的情况受阻，所以对于博通的供货可能提前。两者相较，三星在向博通供货方面顺利，而向英伟达供货方面则面临三大技术问题的严峻考验。

根据报道分析，三星针对英伟达供货方面面临的三大技术问题，首先是未能达到英伟达严苛的散热标准。根据了解，英伟达所要求的散热标准约是博通所需标准的两倍之高，博通的散热标准不到英伟达标准的一半。这是因为英伟达的AI半导体是通用型产品，必须在各种环境下展现高性能，这导致其功耗极高，进而加剧芯片内部散热问题。如果HBM产生过多热量，将直接影响芯片的整体性能。目前，由于英伟达的芯片以其业界领先的性能著称，其散热标准也因此高于AMD等竞争对手。

而面临的第二大技术问题，市场指出是在数据传输问题方面。这方面是当三星电子的HBM在过热等极端条件下运行时，其数据传输速度和准确性表现不如SK海力士和美光。然而，AI半导体性能的关键在于高效处理大量数据，这要求数据能尽可能快速、无瓶颈地传输，以支持英伟达图形处理器（GPU）进行高效学习。尤其，英伟达采用其专属的高性能网络系统NV Link，目的就是在确保在AI半导体密集部署的服务器环境中，每个芯片都能快速响应，避免数据瓶颈。只是三星的HBM上搭载的DRAM存在性能问题，其在数据传输速度或准确性方面出现问题的可能性据称高于竞争对手。这使得处理器无法精确识别通过HBM传输的数据，将直接影响由AI半导体驱动的AI模型性能。

最后一大问题则是在良率的部分。三星HBM的良率较低，这虽然是一个长期被提及的问题。但是，因为低良率不仅导致难以按时交付合约规定的数量，还会在价格谈判中削弱竞争力。为此，三星正积极努力重新设计DRAM，以提升品质并稳定良率。半导体业界人士透露，随然长期与散热问题并存的良率问题已获得快速改善。但是为了争取进入英伟达供应链，三星据称产品价格设置还是得比竞争对手更低，这使得三星已经失去了主导性。

报道表示，三星电子在供货英伟达方面持续遭遇阻碍。市场人士表示，三星已在技术挑战方面取得了显著进展。一位产业相关人士指出，三星虽因这三大问题而较SK海力士和美光晚进入供应链，但近期已克服大部分技术难关。不过，由于英伟达已将部分供应量分配给SK海力士和美光，三星与英伟达的供应谈判可能仍需时间。目前，三星电子正加速交付新时代HBM样品，并积极与英伟达进行供货谈判。

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