力积电今（1日）宣布，台、印合作构建12英寸芯片厂计划正式启动，力积电已收到塔塔集团支付的Fab IP第一期款项，新厂设计作业将积极推进。同时，通过客户验证的高容值中介层（Interposer)也将量产交货。

力积电表示，印度塔塔微电子公司已根据双方议定的Fab IP合约，将第一期款导入力积电公司的账户，该公司也陆续派遣芯片厂负责设计、建设的工程团队前往印度孟买塔塔微电子、古吉拉特邦的多雷拉科学园区，开始与塔塔集团的半导体团队对接，展开印度第一座12英寸芯片厂的设计以及建厂现址的实地勘察。

塔塔集团已宣称计划于2026年完成12英寸芯片厂的建设并投入量产，为配合这项积极的建厂进程，力积电将与塔塔微电子紧密合作，除派遣专业团队前往多雷拉厂区现地指导，也将在该公司铜锣新厂设置专区，协助培训塔塔微电子来台的员工，以加速后续技术转移、塔塔芯片厂运营等作业。

力积电指出，随着印度新厂建设如火如荼推动，将根据合约载明的工程节点，分期收取相应的专业顾问、服务以及技术转移费用，始收到的第一期签约金就是Fab IP业务落实开展的重要里程碑，未来印度12英寸芯片厂的项目将带来总额新台币200亿元以上的获利。

力积电也透露，由于国际大型科技公司积极构建AI算力，公司定制化的高容值中介层在通过客户验证后已进入备货阶段，将于今年底开始量产出货。力积电近年大力发展的Wafer on Wafer芯片堆栈技术，也获得大型合作伙伴认同，已开始投入量产四层DRAM芯片堆栈产品，将于明年运交给客户进行生产验证，以配合下游客户未来在edge AI应用的营销规划。

（首图来源：科技新报）