美国政府宣布，根据双方签订的不具约束力的初步备忘录，美国政府将根据《芯片与科学法案》向内存大厂美光提供最多61.4亿美元直接补贴。另外，还将提供75亿美元的低利贷款，以支持美光在美国的半导体产线投资。

先前，美光曾经表示，到2030年前将在美国投资500亿美元，在纽约州建设两座先进DRAM内存超级芯片厂。另外，在美光总部所在地的爱达荷州也将兴建一座先进DRAM内存芯片厂。其中，在爱达荷州的芯片厂将于2025年完工，2026年正式开始DRAM的生产。至于，美光在纽约州的首座芯片厂，预计2025年开始建设，2028年完工。

美光预计长期500亿美元的投资金额，是美光整体1,250亿美元投资计划的一部分。包括美光在纽约州投资共计1,000亿美元，到2041年兴建完成四座超级芯片厂，而爱达荷州则市投资250亿美元。而这些兴建的芯片厂，每座芯片厂的无尘室面积都将达到600,000平方英尺。美光预计，2030年完工前三座芯片厂之后，将推动美国在全球先进内存制造领域的市场占有率，从现在的不到2%，增长至2035年约10%。这也将符合美国政府利推动重回半导体制造领先地位的目标，因此提供相关的资金补助。

美光还强调，未来的二十多年中，美光先进的五座芯片厂将创造11,000个企业内部工作职缺，以及9,000个建筑工作职缺，再加上55,000个间接工作职缺。而根据双方签订的备忘录，在获得政府61.4亿美元的资金补助之后，美光还可获得至高75亿美元的贷款。而且，美光也有资格获得美国财政部的投资税收抵免，再加上纽约州政府也将提供价值55亿美元 的奖励措施。

(首图来源：科技新报摄)