韩国媒体报道，三星又陷入瓶颈，旗下半导体、家电、移动通信 (MX)、显示器 (SDC) 等部门都经历困难。目前全球市场占有率排名第一的内存业务，即使第三季景气上升周期也未见亮眼成绩，导致公司运营状况不佳。

韩国媒体ZDNet Korea报道，三星高带宽内存 (HBM) 市场对表现非常失望。因三星并未积极发展直到今年第三季，才积极想通过英伟达HBM3E认证，期望打入供应链。但八层堆栈产品未通过认证，12层堆栈很有可能延后到2025年第二或第三季后才有机会供应。

三星HBM未积极发展原因很多。专家指出，三星HBM问题就是核心芯片DRAM。HBM结构是将多个DRAM垂直堆栈连接，DRAM性能与HBM性能直接相关，三星HBM的DRAM，也就是1a制程第四代DRAM出了问题。

报道解释10纳米制程DRAM产品，分为第一代1x制程、第二代1y制程、第三代1z制程、第四代1a制程、主流第五代1b制程。第四代1a制程DRAM线宽约14纳米，三星2021下半年量产，尽管比对手早，还用EUV提高产能，但未让三星1a制程DRAM竞争力提升，反而因用EUV难度较高，让三星1a制程DRAM生产成本迟迟无法下降。

且三星1a制程DRAM设计不够完美，尤其服务器产品开发受挫，使应用时机较对手落后。SK海力士2023年1月1a制程DRAM的DDR5服务器产品先通过英特尔认证，而三星HBM3E却迟迟无法通过英伟达认证。

三星日前平泽产线全面清查英伟达认证过八层堆栈HBM3E产品，但没有问题，三星自行查看只查出数据处理速度低于其他产品，较SK海力士和美光产品低约10%。

三星考虑新方法，就是部分重新设计1a制程DRAM，之后再恢复服务器DRAM和HBM产品竞争力。市场人士表示，三星还未最后决定。但若重新设计，三星须承受更大运营压力。

(首图来源：三星)