先前日媒报道,内存大厂美光计划于广岛兴建DRAM新厂,预定2026年初动工、最快2027年底前完成厂房建设、机台设备安装并投入运营。
根据业界消息,美光预计斥资6,000至8,000亿日元建新厂,地点将紧邻已建成的Fab15。新厂初期规划为DRAM芯片厂,未包含后段封装及测试,产能将着重于HBM产品。
美光广岛新厂将首导入极紫外光(EUV)微影设备,生产由台日合作开发的新先进1-Gamma制程的DRAM,后续也将导入1-Delta制程,因此EUV设备安装数量将大幅增加,并多加采用调高无尘室。
至于广岛Fab 15是HBM芯片量产厂区,负责前段芯片生产及硅穿孔(TSV)制程,后段堆栈及测试制程由台湾的台中后段厂负责。另有市场消息传出,随着HBM需求扩张,台湾OMT(One Mega Taiwan)明年起将加入HBM芯片量产厂区,投入芯片生产及TSV制程。
研调机构TrendForce指出,由于HBM市场需求蓬勃发展,且生产良率较低、晶粒尺寸较大等因素,相同位元产出的HBM相较DDR5约需消耗3倍投片量,且会排挤传统DRAM产能。
如果美光要加速HBM市场渗透,考虑到2025年产能已被客户预订一空,新厂建设需求势在必行。同时,美光计划到2025年HBM产品线市场占有率保持在20%-25%水准,目标提高至与传统DRAM相当。
这次广岛新厂也获得日本政府补贴,日本经济产业省去年10月宣布将提供美光1,920亿日元建厂及设备补贴,另针对生产成本最高补贴88.7亿日元、研发成本最高补贴250亿日元。
(首图来源:美光)