先前日媒报道，内存大厂美光计划于广岛兴建DRAM新厂，预定2026年初动工、最快2027年底前完成厂房建设、机台设备安装并投入运营。

根据业界消息，美光预计斥资6,000至8,000亿日元建新厂，地点将紧邻已建成的Fab15。新厂初期规划为DRAM芯片厂，未包含后段封装及测试，产能将着重于HBM产品。

美光广岛新厂将首导入极紫外光（EUV）微影设备，生产由台日合作开发的新先进1-Gamma制程的DRAM，后续也将导入1-Delta制程，因此EUV设备安装数量将大幅增加，并多加采用调高无尘室。

至于广岛Fab 15是HBM芯片量产厂区，负责前段芯片生产及硅穿孔（TSV）制程，后段堆栈及测试制程由台湾的台中后段厂负责。另有市场消息传出，随着HBM需求扩张，台湾OMT（One Mega Taiwan）明年起将加入HBM芯片量产厂区，投入芯片生产及TSV制程。

研调机构TrendForce指出，由于HBM市场需求蓬勃发展，且生产良率较低、晶粒尺寸较大等因素，相同位元产出的HBM相较DDR5约需消耗3倍投片量，且会排挤传统DRAM产能。

如果美光要加速HBM市场渗透，考虑到2025年产能已被客户预订一空，新厂建设需求势在必行。同时，美光计划到2025年HBM产品线市场占有率保持在20%-25%水准，目标提高至与传统DRAM相当。

这次广岛新厂也获得日本政府补贴，日本经济产业省去年10月宣布将提供美光1,920亿日元建厂及设备补贴，另针对生产成本最高补贴88.7亿日元、研发成本最高补贴250亿日元。

（首图来源：美光）