英特尔在本次的Intel Foundry Direct Connect活动中强调了核心制造的规划与发展，其中包括新推出的下一代制程技术Intel14A发展状况以及Intel18A的进度。除指出现阶段已有多家客户表达意愿，将在Intel14A新制程节点上生产测试芯片之外，Intel18A已进入风险试产阶段，预期2025年将达到量产规模。
英特尔针对Intel14A新制程节点表示，Intel14A是继Intel18A之后的下一个节点制程，目前正在积极开发其中。虽然，英特尔尚未给出明确的时间表。如果一切按计划进行，Intel14A将成为业界第一个采用High-NA EUV曝光机的节点制程。而英特尔也已经与其潜在的Intel14A客户分享了制程设计组件 (PDK) 的早期版本。英特尔指出，现阶段已有多家客户表示，有意采用Intel14A节点制程制造测试芯片。
根据英特尔的说法，Intel14A将采用其PowerVia背面供电技术的第二代版本，这将是一种更先进、更复杂的解决方案，预计通过专门的接触器，将电力直接输送到每个晶体管的源极和汲极，进而最大限度地减少电阻，并提高电源效率。与英特尔目前的PowerVia解决方案相较，这是一种更直接、更有效率的方式。
至于，在积极准备量产的Intel18A节点制程部分，英特尔强调已进入风险生产阶段，代表着该制程首次少量生产即将开始，而之后的大量生产阶段于年底前进行。而英特尔并未具体说明哪些处理器已开始在Intel18A上生产，但由于量产时间与Panther Lake处理器的预期基本一致。所以，市场预计Panther Lake处理器将会采用，并在2025年底之前问世，而首批Intel18A制程的芯片则将来自其位于俄勒冈州的芯片厂。
Intel18A是业界首个采用PowerVia背面供电网络，并同时使用RibbonFET环绕式闸极晶体管技术 (GAA) 的节点制程。借由PowerVia在芯片背面提供优化的电源布线，以提高性能和晶体管密度，借由在RibbonFET技术下完全被闸极包围的四个垂直纳米片，可以在较小的区域内提供更好的晶体管密度，以及更快的晶体管开关。
另外，英特尔还宣布了针对高性能应用的Intel18A-P节点制程技术。Intel18A-P节点制程技术具有优化的功率和频率曲线，每瓦性能提高了5-10%。而且能根据特定芯片进行调整，继此可以在相同性能下，完成更高的时脉速度或更低的功耗。此外，英特尔也正在开发一种新的18A-PT制程技术，该制成将支持具有混合键合互联的Foveros Direct 3D，使英特尔能够在其最先进的节点上垂直堆栈芯片。
而且，英特尔强调，Intel18A-P与Intel18A的设计兼容，简化了客户的设计流程。当前，英特尔已经与电子设计自动化 (EDA) 软件供应商合作，以广泛支持产业中标准的设计工具，并且还与知识产权 (IP) 设计人员合作，提供必要的IP模块，进而简化研发设计相关工作。
(首图来源：英特尔)
