全球半导体竞争进入白热化阶段，芯片代工龙头台积电正对美国扩产计划采取更具攻击性的策略。根据外媒的最新消息指出，台积电位于美国亚利桑那州的芯片厂，其3纳米制程的量产时间表预计将提前至2027年，比原定计划早了一年之久。
台积电亚利桑那州布局规模旁大，被视为资金投入与生产规模最庞大的风险投资之一，将在全美投资高达3,000亿美元，目的在构建稳定的半导体供应链体系。
亚利桑那州一厂已在生产4纳米制程，二厂则肩负3纳米量产重任，并以2027年完成目标为核心驱动力。 韩国媒体Digital Daily报道，台积电将3纳米引进美国厂的时间表提前，反映面对区域竞争与市场需求时，策略转为更积极主动。
台积电决定加速推动先进制程产能，背后最直接的原因来自于市场对顶尖技术节点的庞大需求。目前，高性能计算（HPC）客户已占据了台积电芯片产能的极大部分，这促使公司必须不断扩大4纳米、3纳米甚至2纳米的产出能力。尤其，随着人工智能（AI）热潮在短期内完全没有放缓的迹象，台积电面临着必须扩大整体生产数据的压力。为了应对这场AI疯狂增长所带来的订单，亚利桑那厂的升级与加速量产成为了台积电维持领先地位的必然选择。
除了内部需求的驱动，来自区域竞争对手的威胁也是台积电不敢怠慢的原因之一。报道指出，台积电目前正与三星代工（Samsung Foundry） 以及英特尔（Intel）展开激烈的技术竞争。其中，英特尔正积极推进其Intel 18A制程技术，试图重夺技术领先地位。而三星电子则展现出更具威胁性的扩张野心。
三星加倍投资德州泰勒市（Taylor）芯片厂，直接导入SF2（2纳米）制程，而非最初规划的4纳米。此外，三星近期已成功与特斯拉（Tesla）签约，释放信号为全球主要客户都开始寻求台积电以外的替代方案。
尽管扩张计划势在必行，但台积电也面临内部挑战。资本支出（CapEx）呈爆炸式增长，加上产业普遍面临的劳动力短缺问题，台积电如何在管理如此庞大且分散的全球芯片厂网络中取得平衡，成为业界关注的焦点。除了亚利桑那州厂，台积电也寻求日本技术与产能双重突破。面对巨大市场需求，扩产几乎是台积电维持霸主地位的唯一选择，台积电未来规划更是全球半导体业界发展关键。
整体来说，台积电亚利桑那州厂进度超前，说明全球地缘政治与科技竞争的战略弹性。3纳米制程即将2027年落地美国，不只为了满足AI时代算力需求，更为了三星与英特尔夹击下，稳固全球代工之王的地位。
(首图来源：台积电)
