消息人士透露，三星副董事长、半导体暨设备解决方案（DS）部门负责人全永铉（Young Hyun Jun）上周亲自拜访NVIDIA总部，展示最新的1b DRAM样品。

NVIDIA去年曾要求三星改良1b DRAM设计，新样品即是改良成果。不过DS部门负责人亲自向客户展示样品，可说相当罕见。

根据韩媒TheElec报道，三星三星第五代10纳米级（1b）制程DRAM去年面临良率与过热问题，因此三星打算改变方向，使用1a DRAM（即1b DRAM前身）制造8层和12层HBM3E，并完全跳过1b DRAM制程，使用1c DRAM制造HBM4。

然而，NVIDIA要求三星使用1b DRAM，但后者改变了方针，因此全永铉这趟旅行很可能是为了确保三星能赢得NVIDIA的HBM3E订单。

目前竞争对手SK海力士已经向NVIDIA供应使用1b DRAM制造的12层HBM3E，美光也预期开始制造供AI加速器制造商使用的HBM。上个月，三星表示其改良版HBM3E的准备工作进展顺利，将于第二季开始供货。

NVIDIA首席执行官黄仁勋曾在CES展上表示，三星需要重新设计其HBM才能通过认证。

（首图来源：shutterstock）