IBM和日本创业公司芯片商Rapidus于IEEE IEDM 2024国际电子组件会议，展示合作的多阈值电压GAA晶体管成果，有望用于Rapidus的2纳米量产。

IBM表示，先进制程升级至2纳米节点后，晶体管结构由使用多年的FinFET鳍式场效应晶体管，转成GAAFET全环绕栅极场效应晶体管，对制程改朝换代带来新挑战。如何达多阈值电压（Multi Vt），让芯片以较低电压执行复杂计算是个挑战。

IBM强调，2纳米制程N型和P型半导体信道，距离相当狭窄，需精确曝激光雷达到多阈值电压，也不影响半导体性能。IBM携手Rapidus导入两种选择性减少层（SLR）芯片构建，成功完成目标。

IBM研究院高级技术人员Bao Ruqiang表示，与FinFET相较，Nanosheet纳米片结构非常不同，且更复杂。新技术比以前方法更简单。相信将使合作伙伴Rapidus更容易可靠量产2纳米芯片。

(首图来源：Unsplash)