根据韩国半导体工程师协会发布的《반도체 기술 로드맵 2026》（半导体技术路线图2026），全球半导体产业正规划在未来15年内，将先进逻辑制程从现行的2纳米节点，逐步推进至2040年的0.2纳米，正式进入埃米（Å）时代。随着传统线宽微缩逐渐逼近物理极限，未来制程演进将不再仅依赖微影技术，而是转向结构、材料与系统层级的全面革新。
2040后将迎来埃米时代，EUV可能迎来瓶颈从时间轴来看，路线图预期2025年左右进入2纳米时代，并于2031年前后推进至1纳米级；到了2040年，逻辑电路线宽将进一步缩小至0.2纳米。尽管0.75NA EUV可在2030年前后带来更细线宽，但基于微影的物理微缩将逐步趋于饱和，制程竞争的重心势必转向芯片架构与整体系统设计。
（Source：ISE，同下）
晶体管与制程朝向立体化为延续摩尔定律，逻辑组件将由FinFET转向GAA（Gate-All-Around），并进一步演进至CFET（Complementary FET） 等三维晶体管结构，通过将PMOS与NMOS垂直堆栈，突破平面密度限制。配合Monolithic 3D（单晶3D） 制程，以及由DTCO迈向STCO（系统－制程共同优化） 的设计思维，未来性能提升将来自整体架构重整，而非单一制程节点的微缩。
除了逻辑制程，内存技术的演进节奏与0.2纳米逻辑制程高度同步。在DRAM领域，传统BCAT架构预期将在7～8纳米遭遇微缩极限，未来将转向垂直信道晶体管、堆栈式DRAM、4F² 单元，以及通过Hybrid Bonding将CMOS电路直接与内存数组结合的CBA（CMOS Bonded Array） 架构，延续密度与性能提升。
在AI应用推动下，高带宽内存（HBM） 的重要性进一步放大。路线图指出，HBM将通过更高层数堆栈、混合键合与散热设计，HBM预测2031年将有20层、8 TB/s，并在2040年达到30层以上、128 TB/s的带宽水准。。
至于NAND Flash，则走向“以层数换密度”的发展路径，预期自321层，推进至2031年约1,000层，并在2040年挑战2,000层。
半导体产业正借由逻辑与内存的3D化、Hybrid Bonding及系统级架构重整，提升单位面积集成密度并降低互联延迟，以在不依赖线宽微缩的情况下，满足未来AI或其他产业对于高速、低功耗的需求。
（首图来源：AI生成）
