日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布将溢价35%收购美国氮化镓（GaN）功率半导体厂商Transphorm、借此取得GaN技术，激励Transphorm昨日（11日）股价狂飙。

Transphorm 11日暴涨25.86%、收4.77美元，创近10个月来（2023年3月21日以来）收盘新高水准。

瑞萨11日发布新闻稿宣布，已和Transphorm签订契约，瑞萨将通过子公司收购Transphorm、目标以每股5.10美元的价格取得Transphorm已发行的所有普通股，收购总额约3.39亿美元（约492亿日元）。瑞萨表示，以Transphorm 1月10日收盘价（3.79美元）来看、瑞萨开出的收购价溢价约35%。

瑞萨指出，借由收购Transphorm、将可让瑞萨取得使用于功率半导体的关键次世代材料“GaN”技术，将能让瑞萨抓住电动汽车（EV）、数据中心、AI、再生能源等增长显著的市场机会。

瑞萨表示，在获得Transphorm股东以及相关监管当局许可后、预计在2024年下半年完成收购案。

日本市调机构富士经济（Fuji Keizai）公布调查报告指出，因EV等车辆电动化需求、加上太阳能发电等再生能源普及，带动2023年全球功率半导体市场规模（包含硅制产品和碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓等次世代功率半导体）预估将年增12.5%至3兆186亿日元，且之后市场规模将持续扩大，预估2035年将扩张至13兆4,302亿日元、将较2022年暴增4倍（飙增约400%）。

其中，2023年GaN功率半导体市场规模预估将年增32.6%至57亿日元，2035年预估将扩大至740亿日元、将较2022年暴增16.2倍。

（首图为Transphorm首席执行官Primit Parikh博士和瑞萨电子首席执行官Tidetoshi Shibata；来源：Transphorm）