美光本周在财报电话会议中宣布，已开始向客户提供采用新一代1γ（1-gamma）制程、导入极紫外光（EUV）微影技术的首批LPDDR5X内存样品。这也显示美光已正式进入EUV DRAM制程时代。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra指出，目前1γ DRAM技术节点上进展非常顺利，良率爬升速度甚至超越1ß（1-beta）节点记录。公司在本季完成多项关键产品里程碑，包括首批基于1γ制程的LPDDR5 DRAM认证样品出货。

1γ制程是美光第六代10纳米级制程节点，与前一代1ß 相比功耗降低20%、性能提升15%。此外，1γ的位元密度增加30%，随着良率提升有望进而降低生产成本。

值得注意的是，这批基于1γ制程的LPDDR5X非美光首款使用此技术的产品。美光今年也推出16Gb DDR5-9200内存芯片，主打更高性能与更低功耗，不过还没公布产品最新进展。

预期未来，美光计划全面导入第六代10纳米级1γ制程，涵盖DDR5、LPDDR5X（最高达10.7 GT/s）、GDDR7及数据中心相关内存产品线。Mehrotra强调，将在所有DRAM产品线上导入1γ制程，发挥此领先技术的最大效益。

目前美光是最后一个采用EUV微影的主要DRAM制造商。虽然美光尚未透露有多少层使用EUV技术，但推测可能主要用于原本需繁复多重曝光的关键层。美光已在日本激活首台EUV设备，并开始量产1γ DRAM，未来也将在日本与台湾扩大EUV产能。

（首图来源：美光）