内存大厂美光（Micron）发布1γ（gamma）先进制程后，2月送样给英特尔（Intel）和AMD等客户1γ（gamma）DDR5，为内存第一家完成里程碑的企业。

韩媒朝鲜日报报道，美光送样1γ（gamma）DDR5，只用一层极紫外光（EUV）微影曝光设备，因美光计划减少EUV使用，加速量产先进制程DRAM，降低成本。

美光选择减少依赖EUV，转用成熟氩氟浸没式光刻（ArFi）制程。ASML数据显示，下代深紫外光刻（DUV）系统为193纳米波长氩氟激光，可完成38纳米特征尺寸图案化。EUV为13.5纳米波长光，精确度更高，但成本也更高。

美光表示，EUV技术未完全稳定，仅必要时使用。短期可能提升生产速度，但长期会影响芯片良率和性能。韩国内存大厂三星和SK海力士DRAM则更依赖EUV，三星2020年起就采用EUV，第六代1C 10纳米级DRAM使用超过五个EUV微影曝光层。SK海力士2021年导入EUV，下代1C 10纳米级DRAM也是类似策略。

美光减少依赖EUV短期可节省成本，但长期会面临技术瓶颈。市场人士指出，ArFi制程需更多步骤，可能导致良率下降，EUV层数增加，超过三层后技术难度也显著增加。

(首图来源：美光)