韩国科技巨头三星电子近日已正式启动1nm半导体制程研发项目，并把2029年订为实现量产的目标时限。三星希望通过这项技术突破，重夺在高端芯片市场的话语权，在与台积电的正面交锋中逆转劣势。

消息指出，三星半导体研究所已经组建专责1nm制程的研发团队，并抽调曾参与2nm制程开发的人手加入，显示内部对这项计划的重视程度。该公司将1nm制程形容为“梦想中的半导体技术”，但实现难度极高，必须引入全新制程概念和高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备。目前在三星公开的制程路线图上，计划在2027年量产1.4nm制程，至于1nm则定于2029年。业界普遍认为，即使是技术成熟的台积电，也尚未掌握1nm制程量产的明确时间表。尽管如此，三星内部压力极大，三星集团会长李在镕多次在内部强调，要“延续重视技术的传统”，更表示必须“以破格的技术引领未来”。

在过去的3nm技术竞争中，三星试图凭借采用更先进的GAA架构脱颖而出，主动放弃FinFET技术。惟事与愿违，GAA技术门槛极高，三星未能掌握其中关键技术，导致芯片良率远低于预期。反观台积电虽继续使用被视为较旧的FinFET架构，却成功将3nm制程良率推高至80%以上，技术与稳定性双双占上风，令三星在高端市场遭遇跌败。台积电预计会在2026年下半年实现2nm制程量产，甚至也在同步筹备1nm技术研发。在目前的竞争格局中，台积电持续占据技术领先位置，三星则寄望通过加速研发节奏和高层政策倾斜寻求突围。

来源: 热点科技