台湾专业碳化硅（SiC）长晶技术领导厂商格棋化合物半导体公司（以下简称格棋）周二举行中坜新厂落成典礼，并宣布与中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通信技术领域的应用。
此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社（Mitsubishi Materials Trading Corporation）签署合作协议，双方将致力于扩大日本民用品和车用市场的布局。
格棋中坜新厂总投资金额达新台币6亿元，预计第四季达到满产。其中6英寸碳化硅芯片月产能可达5,000片，至今年底，新厂将安装20台8英寸长晶炉及100台6英寸长晶炉，大幅提升整体产能。除此之外，新厂还可提供超过50个就业机会。
格棋董事长张忠杰表示，中坜新厂的落成是格棋发展的重要里程碑。将持续投资先进设备与技术，以满足日益增长的市场需求，巩固全球碳化硅供应链中的关键地位。
应对全球ESG趋势，格棋中坜新厂规划导入能源管理系统及储能系统，并集成再生能源系统，通过削峰填谷方式平衡能源需求，减少高峰时段的能源负荷，进一步降低能源成本及碳排放。
与此同时，格棋宣布与中科院签署合作协议，双方将共同开发高频通信用碳化硅组件，通过此次合作加速进军高频通信碳化硅市场的脚步，为5G/B5G通信基础建设提供关键组件。中科院院长李世强博士指出，随着通信频段不断提高，具有高电子迁移率的化合物半导体组件逐渐取代传统硅基高频组件。期待与格棋的合作能为台湾在高频通信领域带来突破性进展，强化台湾在全球通信产业链中的战略地位。
格棋也宣布与三菱综合材料商贸签署合作协议，将由三菱综合材料商贸向日系客户提供6英寸和8英寸晶锭（INGOT）、芯片磊芯片（EPI Wafer）材料，格棋负责集成台湾合作伙伴资源，向日本客户供应6英寸和8英寸晶锭、芯片与磊芯片。三菱综合材料商贸社长桥本良作表示，台湾和日本在半导体产业皆具关键影响力。看好碳化硅组件在日本市场的发展前景，相信与格棋的合作将为双方带来互利共赢的机会。”
格棋拥有独特的碳化晶体硅体增长技术，包括特殊的晶种结合方法、即时监控系统、涂层技术，以及原料控制和热处理技术，其核心技术可有效提升晶体质量，降低缺陷密度，为客户提供高品质、高可靠性的碳化硅芯片。
格棋首席技术官叶国伟博士强调，碳化硅半导体凭借高效、高频和耐高温等特性，在电动汽车、混合动力车及5G通信等领域有着广泛应用。随着技术日益成熟，成本逐渐下降，市场需求快速增长。公司目标是通过持续创新，巩固公司在全球碳化硅供应链中的核心地位。
格棋成立于2022年，专注于化合物半导体长晶等第三代化合物半导体的制程技术开发。
（首图来源：格棋）
