美光发布2600 NVMe SSD：导入第九代QLC NAND与自适应写入技术，全面提升PC存储性能

美光科技宣布推出全新2600 NVMe SSD，专为OEM厂商打造，结合业界首款第九代QLC NAND（G9 QLC NAND）与创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology，简称AWT），进一步强化固态硬盘（SSD）在PC与用户端设备中的性能表现。

美光2600 NVMeSSD主打兼具QLC NAND的高容量与经济效益，并通过新技术大幅提升性能，超越传统TLC SSD的主流表现。根据官方数据，该产品的循序写入速度相比市面上其他QLC与TLC SSD提升约63%，随机写入速度提升约49%，为需要高速处理的用户提供更好的操作体验。

美光本次在SSD中导入的AWT技术，是业界首次结合多层级SLC、TLC与QLC动态缓存架构，进一步改善QLC NAND固有的写入瓶颈。以2TB规格为例，当连续写入高达800GB的数据时，可将循序写入速度提升至原本的四倍，显著优化大型文件处理与多任务应用的体验。

此外，第九代QLC NAND采用六平面设计，让芯片能同时处理更多的读写指令，进一步提高平行处理效率。美光表示，2600 SSD可达到3.6 GB/s的NAND I/O速度，成为目前市面上已出货的用户端SSD中速度最快的产品。

存储性能对于提升PC的生产力与日常体验至关重要。美光指出，2600NVMe SSD不仅能缩短开机时间，还能加快应用程序加载与系统回应速度。特别是在AI PC与内容创作场景中，高速存储设备能更快加载大型AI模型，让工作流程更加顺畅。

在PCMark 10测试中，2600 NVMeSSD相较于同级主流TLC SSD的总体评分提升最高达44%，带宽提升约43%，反映出实际使用中能带来更流畅、反应更敏捷的体验。

美光2600 NVMeSSD提供22x30mm、22x42mm与22x80mm等多种尺寸，容量从512GB到2TB，并采用单面设计，特别适合超薄笔记本、轻量工作站及手持设备等空间受限的应用。值得一提的是，2TB规格也能实现22x30mm的超小型方案，为新一代手持游戏机与便携式设备提供更多设计弹性。