外媒报道，美光、SK海力士和三星等内存制造商为英伟达Blackwell数据中心GPU提供强大内存产品。SK海力士推出HBM3E和SOCAMM后，美光也在GTC 2025宣布，推出基于12层堆栈HBM3E和LPDDR5X的SOCAMM内存。

Wccftech报道，虽然SK海力士先前一直是英伟达的HBM3内存芯片的主要供应商，但美光也与英伟达合作，为高性能芯片提供12层堆栈的HBM3E和SOCAMM内存。美光的LPDDR5X SOCAMM将用于英伟达的GB300 Grace Blackwell Ultra数据中心GPU，而其HBM3E 12H 36 GB内存将用于HGX B300 NVL16和GB300 NVL72平台。

另外，美光也为英伟达的HGX B200和GB200 NVL72平台提供HBM3E的8层堆栈24 GB芯片。 相较之下，12层堆栈的HBM3E内存有12个DRAM芯片垂直堆栈，内存容量比8层堆栈产品高12 GB。当前因为由于AI工作执行需要大量内存，因此借由36 GB内存芯片满足英伟达GPU的内存容量需求。

与8层堆栈的HBM3E堆栈相比，12层堆栈的HBM3E内存的总内存容量增加了50%。这使得Blackwell Ultra GPU能够运行更大的人工智能模型，并且Meta Llama 405B现在可以安装在单一GPU上。新的HBM3E内存不仅拥有更高的内存容量和内存带宽，而且功耗还将降低20%，所以非常适合数据中心。

以LPDDR5X为基础的SOCAMM也是HPC的绝佳选择。它的尺寸仅为14×90mm，占用空间仅为RDIMM的近三分之一，并且通过利用16个LPDDR5X内存芯片堆栈，每个模块可提供高达128 GB的容量。 SOCAMM比常规RDIMM具有更高的能源效率，并且可提供超过2.5倍的带宽。

美光有GDDR7内存（英伟达Blackwell RTX 50系列GPU）、高容量DDR5 RDIMM和MRDIMM、HBM3E和SOCAMM，以及美光9550 NVMe和7450 NVMe SSD等存储解决方案。三星也发布了其旗舰产品9100 PRO SSD，采用PCI-E 5.0标准，可提供高达14,800 MB/s的连续读取速度，未来在市场上的竞争将可以预期。

(首图来源：美光)