HBM4已成为内存大厂的新战场，三星正借由大规模的投资缩小与当前市场龙头SK海力士的差距。因为根据ZDNet Korea的报道，三星计划在韩国华城和平泽扩大1c DRAM （第六代10纳米等级） 制程技术的生产，相关投资将在年底前启动。

报道指出，相较于竞争对手SK海力士和美光选择1b DRAM (第五代10纳米等级) 制程技术作为HBM4的基础技术，三星则更大胆押注更先进的1c DRAM制程技术，表明三星有信心提升1c DRAM制程技术的良率。此外，报道还指出，三星还考虑在2025年底前将华城17号生产线从1z DRAM (第三代10纳米等级) 制程技术转为1c DRAM制程技术生产，以进一步扩大产能。

报道还强调，三星2025年稍早已在平泽第四园区 （P4） 启动首条1c DRAM制程技术产线，目标月产能为3万片芯片。之后若继续扩产顺利，月产能将有望提升至4万片。

事实上，韩国朝鲜日报先前就报道指出，三星用于12层堆栈的HBM4的关键组件 – 4纳米制程逻辑芯片，在先前的测试生产中完成超过40%的良率。而根据市场研究及调查机构TrendForce预测，受强劲市场需求的推动，2026年HBM总出货量将突破300亿GB。而新一代的HBM4将在2026年下半年超越HBM3e，成为市场主流解决方案。

(首图来源：三星)