根据TrendForce资深研究副总吴雅婷表示，受益于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品更新也促使HBM单机搭载容量扩大，促使2023-2025年HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。
产能方面，2023-2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可超过20%，至2025年占比有机会超过三成。
吴雅婷指出，今年第二季已开始针对2025年HBM进入议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步上调5%-10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。而供应商议价时间提早于第二季发生有三大原因，其一，HBM买方对于AI需求预期仍具高度信心，愿意接受价格续涨。
其二，HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%，仍有待提升，加上并非三大原厂都已经通过HBM3e的客户验证，故HBM买方也愿意接受涨价，以锁定品质稳定的货源。其三，未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，对于供应商而言，未来平均销售单价将会因此出现差异，并进一步影响获利。
预期2025年，由主要AI解决方案供应商的角度来看，HBM规格需求大幅转向HBM3e，且将会有更多12hi的产品出现，带动单芯片搭载HBM的容量提升。根据TrendForce预估，2024年的HBM需求位元年增长率近200%，2025年有望将再翻倍。
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