美光科技31日宣布，采第九代（G9）TLC NAND技术的SSD开始出货，为首家完成这里程碑的企业。

美光G9 NAND传输速率3.6 GB/s为业界之冠，为数据读取及写入提供无可比拟的带宽，不论是在个人设备、边缘服务器或是企业及云计算数据中心，美光的NAND新品均可展现同级最佳性能，满足人工智能及其他运用大量数据的使用场景。

美光技术和产品执行副总裁Scott DeBoer表示，美光G9 NAND出货，证明制程技术与设计创新的强大实力，相较市面竞品，美光G9 NAND密度提高73%，可构建体积更小、性能更高存储方案，对消费者和企业均有益。

美光G9 NAND善用业界最高NAND I/O速率，符合工作负载处理大量数据的高吞吐量需求，和市面上现已出货的其他NAND SSD产品相比，数据传输速率加快50%；与现有NAND竞品方案相较，美光G9 NAND的每晶粒写入带宽扩大达99%、读取带宽扩大达88%，从每颗晶粒就占尽优势，自然有助于SSD和嵌入式NAND解决方案的性能及功耗表现。

美光G9 NAND延续前代产品特色，采用11.5mm×13.5mm封装，体积较竞品缩小28%，成为市售体积最小的高密度NAND，由于密度提高、体积缩小，更能自由设计各种使用场景。

美光执行副总裁暨业务长Sumit Sadana强调，美光已在连续三代产品中，均引领业界推出创新和顶尖的NAND技术；美光G9 NAND可为其集成产品提供显著优于竞品表现，并可作为存储创新的基础，为各终端市场客户创造价值。

美光2650 NVMe SSD内置顶级G9 TLC NAND，在PCMark 10测试中超越竞品，为日常运算提供同级最佳用户体验。

美光副总裁暨用户端存储业务部总经理Prasad Alluri指出，即使PCIe Gen4市场理论上近乎饱和，美光2650 SSD采用最新G9 NAND技术，推进TLC用户端SSD的极限，这款硬盘产品在PCMark 10的测试标准中，表现比竞品高出38%，将重新定义同等级SSD的用户体验。

IDC固态硬盘及创新技术研究部门副总裁Jeff Janukowicz表示，AI演进增加数据生成量，也因此需要更大存储空间，客户也要求提升性能，以跟上AI发展速度；美光2650等SSD产品受益于新一代NAND创新，将成为企业和个别消费者不可或缺的关键技术。

美光2650 NVMe SSD提供领先同级产品的稳定度，主打有助性能的加速缓存，借由Dynamic SLC Cache，进一步提高写入表现。美光2650 NVMe SSD为PCIe Gen4提供实际饱和性能，连续读取速率高达7,000 MB/s，相较于竞品，连续读取速率最高提升70%、连续写入速率最高提升103%、随机读取速率最高提升156%、随机写入速率最高提升85%，这些优异数据突显美光决心突破技术极限，为客户缔造无与伦比的表现。

美光表示，G9 NAND除了内置于美光2650 SSD提供给客户端OEM，也可以零部件或嵌入消费者Crucial SSD形式供应给客户。

（图片来源：美光）