韩国媒体报道，面临着复杂的内外部挑战情况下，三星目前正就其下一代NAND Flash闪存V10的量产策略进行深度审慎评估。据了解，这项关键的投资计划，原预计于2025年下半年启动，现在则可能推迟到2026年上半年才能进行大规模的量产投资。至于延误的主因，包括高堆栈层数NAND Flash需求的市场不确定性、引进新技术所伴随的庞大成本压力，以及新制程技术实际应用上的困难。
ZDnet Korea报道，V10 NAND Flash是三星在存储技术领域的最新里程碑，其设计核心在于采用了约430层堆栈的存储单元（Cell），这比目前市面上最先进的V9 NAND（预估约290层堆栈）高出了超过100层。业界之前普遍预期，三星电子有望在2025年下半年便启动V10 NAND Flash的量产投资。然而，截至本月，三星电子仍未能敲定V10 NAND Flash所需的蚀刻等关键制程设备的供应链。这主要归因于高堆栈层树的NAND Flash产品的市场需求存在不确定性，以及导入全新制程技术所衍生的成本效益问题，这些因素都严重阻碍了投资的步伐。
蚀刻制程的技术挑战是导致量产延误的核心问题之一，蚀刻是指在半导体芯片上精确移除不必要的材料的关键步骤。传统上，为在芯片上创建出更深的信道孔（Channel Hole），蚀刻需要在摄氏零下20至零下30度的低温环境中进行。然而，对于V10 NAND，业界原预期将需要更为严苛的极低温环境，即摄氏零下60至零下70度。极低的温度有助于降低化学反应的活性，进一步使蚀刻过程即使在没有保护层的情况下，也能完成极高的精确度。
三星从主要半导体前段制程设备供应商，包括美国的Lam Research和日本的东京威力科创（TEL），引进了极低温蚀刻设备，并进行了试生产及品质评估。然而，实际的评估结果显示，将这种极低温蚀刻技术直接应用于大规模量产存在显著困难，这已成为业界普遍的结论。因此，三星电子目前正与Lam Research和TEL合作，发展调整蚀刻温度至稍高的程度，并重新进行设备评估的方案。
这项针对蚀刻及相关设备的额外评估预计将于2025年下半年展开。考虑到评估所需的进程，供应链的最终确立，以及实际的量产投资，最早可能也要等到2026年第一季才能完成。除了技术上的挑战，新设备的导入也意味着更高的初期投资成本，这也是三星电子延后V10 NAND量产投资的另一主要考量因素。
(首图来源：三星)
