三星电子（Samsung Electronics）已着手创建测试线，以提高第七代（1d）DRAM良率。韩媒Business Korea报道，内存为10纳米等级，外界解读三星包括HBM等DRAM领域失去优势，为了拉大与竞争对手差距，采先发制人投资。

业界消息传出，三星已于第四季开始在平泽P2厂构建10纳米级第七代DRAM测试线。业界也称之为“单路径线”（one path），明年第一季建成。

测试产线是测试新半导体产品量产潜力的设施，一旦下一代芯片性能在研发阶段时确定，就会在此引进芯片，开始提高量产良率。目前还不确定平泽10纳米级第七代DRAM厂房的规模，但通常安装测试产线每月可处理约1万片芯片。

三星3月美国“MemCon 2024”宣布，2026年前量产第七代DRAM，至于前身第六代（1c）DRAM，计划2025年量产。故这条第七代测试线与第六代DRAM量产准备工作同步进行。

三星计划明年初开始以平泽P4厂为中心引进半导体设备，生产10纳米级第六代DRAM，并加快良率脚步，目标是明年5月前取得公司量产认证（PRA）。此外，为了顺利第六代DRAM量产，三星将DRAM人员从华城厂调派至平泽厂。

三星第六代DRAM还没进入量产阶段前就先盖第七代厂房，外界认为是将明年视为重夺优势的起步年，故预先投资。全球DRAM制造龙头的三星最近遭遇重大打击，HBM市场被第二大公司SK海力士夺走，10纳米级第六代内存开发速度也落后对手。

如果要夺回领导地位，必须加速产品开发，从三星新人事变动可窥见。三星副董事长全永铉（Jeon Young-hyun）从半导体业务的设备解决方案（DS）负责人改为首席执行官（CEO），同时兼任内存业务和三星综合技术院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）负责人。他以强大驱动力著称，将大胆推动三星技术开发和投资。

业界人士解释，全永铉现在更密切参与三星内存技术，预估会从主力产品DRAM开始强力创新。

三星也加速投资NAND，最近平泽一厂安装业界第一条400层NAND（V10）测试线，并在平泽四厂NAND厂房添置286层V9设备。

（首图来源：三星）