韩媒TheElec报道，三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产过程中曝光制程所使用的光阻剂（PR）。

消息人士指出，三星已经为未来NAND设置生产路线图，只使用比以前少一半的PR。过去每个涂层使用的PR为7-8cc，现在已减至4-4.5cc。

为了减少制程中PR使用量，三星控制涂布机的旋转（rpm）次数，也调整PR涂布后的蚀刻条件，减少PR使用量后也有助于节省成本。

三星为了增加层数，曾在3D NAND生产中使用厚氪氟化物（KrF）PR。当NAND堆栈层数达到一百层，成本将提高，使用厚的PR可一次形成多层，从而提高三星的制程效率。然而，厚PR的黏度很高，涂布时会造成均匀性问题。

为了开发没有均匀性问题的厚PR，三星早在2013年以前就与韩国化学材料厂Dongjin Semichem（东进世美肯）合作，后者也成为三星KrF PR的独家供应商。

当涂布在第七代NAND上时，PR厚度为11微米；第八代厚度为14微米（越厚越好）。知情人士透露，但从第九代3D NAND开始，由于旋转转速和蚀刻条件的调整，三星将使用比以前少一半的PR，预期可节省数百亿韩元。

然而，这也代表三星向Dongjin Semichem的PR订购量将会减少。Dongjin Semichem每年从PR赚取2,500亿韩元营收，其中60%来自供货给三星。也因此，Dongjin Semichem董事长Lee Boo-Sup最近要求其原物料供应商也采取成本节约措施。

（首图来源：Unsplash）