韩媒TheElec报道,三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产过程中曝光制程所使用的光阻剂(PR)。

消息人士指出,三星已经为未来NAND设置生产路线图,只使用比以前少一半的PR。过去每个涂层使用的PR为7-8cc,现在已减至4-4.5cc。

为了减少制程中PR使用量,三星控制涂布机的旋转(rpm)次数,也调整PR涂布后的蚀刻条件,减少PR使用量后也有助于节省成本。

三星为了增加层数,曾在3D NAND生产中使用厚氪氟化物(KrF)PR。当NAND堆栈层数达到一百层,成本将提高,使用厚的PR可一次形成多层,从而提高三星的制程效率。然而,厚PR的黏度很高,涂布时会造成均匀性问题。

为了开发没有均匀性问题的厚PR,三星早在2013年以前就与韩国化学材料厂Dongjin Semichem(东进世美肯)合作,后者也成为三星KrF PR的独家供应商。

当涂布在第七代NAND上时,PR厚度为11微米;第八代厚度为14微米(越厚越好)。知情人士透露,但从第九代3D NAND开始,由于旋转转速和蚀刻条件的调整,三星将使用比以前少一半的PR,预期可节省数百亿韩元。

然而,这也代表三星向Dongjin Semichem的PR订购量将会减少。Dongjin Semichem每年从PR赚取2,500亿韩元营收,其中60%来自供货给三星。也因此,Dongjin Semichem董事长Lee Boo-Sup最近要求其原物料供应商也采取成本节约措施。

(首图来源:Unsplash)