日本经济新闻的报道，日本创业公司半导体制造商Rapidus的会长东哲郎，在本月11日于SEMICON Japan会议的开幕式上致辞时表示，对该企业的2纳米节点制程的试产线充满信心。

东哲郎表示，Rapidus的EUV曝光设备将于本月交货给工厂。还有200余台设备陆续交货。所有设备2025年3月底前到位，启动生产2纳米芯片试产线。客户试产期间可测试，确认芯片能否实用。

根据Rapidus规划，完成试产后目标2027年4月量产2纳米。Rapidus曾表示与40多家潜在客户洽谈中。

Rapidus合作伙伴IBM日前于IEEE IEDM 2024国际电子组件会议，展示合作的多阈值电压GAA晶体管成果，有望用于Rapidus 2纳米。IBM表示，先进制程升级至2纳米后，晶体管结构由使用多年的FinFET鳍式场效应晶体管，转成GAAFET全环绕栅极场效应晶体管，对制程改朝换代带来新挑战。如何达多阈值电压（Multi Vt），让芯片以较低电压执行复杂计算是个挑战。

另外，目前Rapidus的运营高度依赖日本政府的资助，整体资金中有近99%属于政府的资金补贴。东哲郎对此表示，我们将尽快从政府的支持中独立起起来，将员工工资提高到令人满意的水准，并使获利成为可能。

(首图来源：Rapidus)