三星电子全面启动下一代DRAM扩产计划。韩媒《ET News》报道，三星预计在明年底前将10纳米级第六代DRAM（1c DRAM）月产能扩大至20万片，远高于目前既有规模。

根据规划，三星将在今年第4季先达到月产6万片，明年第2季再添加8万片，并于明年第4季进一步扩张6万片，整体月产能达到20万片。相关进程以设备完成构建为基准，目标是于各阶段具备立即量产条件。知情人士指出：“三星将在明年底前持续强化1c DRAM的供给能力，意在提前卡位下一代市场。”

1c DRAM作为最新时代产品，线宽低于11纳米，并搭载多层EUV制程，属于三星近年主攻的高端内存。此次扩展让1c DRAM产能单独达到三星整体DRAM月产能（65～70万片）约三分之一的规模，甚至超越三星2022年半导体景气高峰期所添加的13万片扩建量。业界推测估计，三星将通过既有产线制程转换，加上平泽P4新厂投资，完成上述扩产。

由于AI推升DRAM需求全面走强，不仅HBM供应吃紧，连一般DRAM也呈现缺货，甚至出现“提前下单尚未生产的货”的抢料情况。三星成功开发1c DRAM后，因此决定加大投入，以具竞争力的产品组合在下一波DRAM周期中抢占定价权。

近期三星宣布未来五年将投入4,500兆韩元于先进制程与产能构建，强调AI时代已大幅推升内存中长期需求，需提前布局产线以应对市场变化。外界也关注，随着1c DRAM量产规模扩大，三星是否能在下一轮需求周期中重新提升DRAM市场占比，缩小与SK海力士之间的差距。

（首图来源：Samsung）