随着半导体制程迈入2纳米制程时代，高通（Qualcomm）与联发科（MediaTek）正为其下一代旗舰芯片，即骁龙 (Snapdragon ) 8 Elite Gen 6与天玑 (Dimensity) 9600的推出进行准备。然而，这两家芯片制造商不仅需要向芯片代工龙头台积电支付高昂的2纳米制程费用，现在更必须应对LPDDR6 DRAM价格的急剧上涨。
市场消息指出，由于LPDDR6内存价格不断攀升，下一代内存技术预计将只会应用于Snapdragon 8 Elite Gen 6与Dimensity 9600旗舰级芯片中，而且预计只有“Pro等级”的芯片将在2026年搭载LPDDR6 RAM芯片。这意味着，虽然LPDDR6技术代表着性能的提升，但其高昂的成本将使其在初期难以普及到非旗舰级设备。因此，包括芯片代工与内存上涨的双重成本压力，预计将对高通和联发科的智慧手机合作伙伴造成巨大负面影响。
然而，市场也传出了一线曙光。有传言称，中国内存制造商正在准备于2026年大规模生产LPDDR6 DRAM技术。如果此消息属实，这或许能为高通的Snapdragon 8 Elite Gen 6和联发科的Dimensity 9600在内存采购价格上提供一定的谈判筹码或定价优势。
面对成本压力与市场需求的分化，高通预计将针对其下一代旗舰芯片采取差异化策略。高通据称将推出两个版本的Snapdragon 8 Elite Gen 6，也就是标准版（Snapdragon 8 Elite Gen 6）和顶级的Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro。而市场消息指出，这两个版本之间的主要差异。顶级的Pro版本将配备更快的内存支持（LPDDR6）更快的GPU。根据目前的传闻，只有其中一个版本，将搭载LPDDR6 RAM的支持。至于，联发科在Dimensity 9600的策略上显得更为集中，预计将只坚持推出一个版本。
虽然LPDDR6 RAM成本的增加无疑会对2026年的旗舰设备造成不利影响，但这仅是高通和联发科为台积电2纳米芯片预估支付每片3万美元总成本的一小部分。面对如此惊人的制造成本，两家芯片制造商将被迫采取两种不受欢迎的结果之一，要么降低自身的利润，要么迫使其智能手机合作伙伴提高产品售价以收取溢价。可以想见，这两种结果对于市场和消费者而言都不是积极的局面。
值得注意的是，即使面临高昂的成本，高通和联发科仍在制程选择上寻求微小的性能优势。有传言指出，两家芯片制造商将利用台积电稍加改进的2纳米“N2P”架构。尽管N2P节点相较于标准的N2制程仅提供了大约5%的性能提升，高通和联发科仍希望借此获得超越苹果（Apple）的优势。据悉，苹果将坚持为其A20和A 20 Pro芯片使用标准的2纳米N2制程。不过，这种追求边缘性能优势的举动，却可能导致Snapdragon 8 Elite Gen 6和Dimensity 9600的定价达到令人咋舌的地步。
尽管2026年旗舰设备的价格压力巨大，但市场预期内存价格将在2027年开始缓解。这项价格趋缓的预期，意味着搭载Snapdragon 8 Elite Gen 7和Dimensity 9700的智慧手机届时可能会变得更便宜。不过总体来说，即将到达的2026年旗舰手机市场将是芯片供应商、手机制造商与消费者共同面对成本转嫁与产品定价挑战的一年。
(首图来源：联发科提供)
